[发明专利]静电放电保护电路

权利要求书

1.静电放电保护电路，包括：

第一内部电路，形成在第一电力线与第一接地线之间，并且配置为在第一电力与第一地电位之间的范围内操作；

第二内部电路，形成在第二电力线与第二接地线之间，并且配置为在第二电力与第二地电位之间的范围内操作，其中，所述第二电力具有比所述第一电力高的电平；

信号线，连接所述第一内部电路的输出端子和所述第二内部电路的输入端子；以及

保护电路，配置为在所述信号线与所述第二接地线之间形成用于在发生静电放电时绕过因所述静电放电而产生的应力的旁通路径，以保护所述第二内部电路的半导体器件免受所述静电放电的影响。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其中，所述保护电路包括：

第一保护电路，配置为当在所述第一内部电路的所述输出端子处发生静电放电时，在所述信号线与所述第二接地线之间形成第一旁通路径，所述第一旁通路径绕过因所述静电放电而产生的应力；以及

第二保护电路，配置为当在所述第二内部电路的所述输入端子处发生静电放电时，在所述信号线与所述第二接地线之间形成第二旁通路径，所述第二旁通路径绕过因所述静电放电而产生的应力。

3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路，其中，所述第一保护电路通过具有与所述第一内部电路相同的击穿电压的半导体器件进行配置。

4.根据权利要求3所述的静电放电保护电路，其中，所述第一保护电路使用N沟道金属氧化物半导体NMOS进行配置。

5.根据权利要求4所述的静电放电保护电路，其中，所述NMOS具有连接到所述第二接地线的栅极以及连接到所述第一接地线的基体。

6.根据权利要求2所述的静电放电保护电路，其中，所述第二保护电路通过具有与所述第二内部电路相同的击穿电压的半导体器件进行配置。

7.根据权利要求6所述的静电放电保护电路，其中，所述第二保护电路使用二极管进行配置，并且所述二极管具有连接到所述第二接地线的阳极以及连接到所述信号线的阴极。

8.根据权利要求2所述的静电放电保护电路，

其中，所述第一保护电路通过具有与所述第一内部电路相同且比所述第二保护电路低的击穿电压的NMOS进行配置，以及

其中，所述第二保护电路通过具有与所述第二内部电路相同且比所述第一保护电路高的击穿电压的二极管进行配置。

9.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其中，所述第二内部电路是电平移位电路，并且所述保护电路对所述电平移位电路的使用薄栅极氧化物的半导体器件进行保护，使其免受可能在所述信号线中发生的静电放电的影响。

10.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，还包括：

背对背二极管，所述背对背二极管形成在所述第一接地线与所述第二接地线之间。

11.静电放电保护电路，包括：

反相器，形成在第一电力线与第一接地线之间，并且配置为在第一电力与第一地电位之间的范围内操作；

电平移位电路，形成在第二电力线与第二接地线之间，并且配置为在第二电力与第二地电位之间的范围内操作，其中，所述第二电力具有比所述第一电力高的电平；

信号线，连接所述反相器的输出端子和所述电平移位电路的输入端子；

第一保护电路，配置为当在所述反相器的所述输出端子处发生静电放电时，在所述信号线与所述第二接地线之间形成第一旁通路径，来保护所述电平移位电路的半导体器件，其中，所述第一旁通路径绕过因所述静电放电而产生的应力；以及

第二保护电路，配置为当在所述电平移位电路的所述输入端子处发生静电放电时，在所述信号线与所述第二接地线之间形成第二旁通路径，来保护所述电平移位电路的所述半导体器件，其中，所述第二旁通路径绕过因所述静电放电而产生的应力。