[发明专利]具阻水气特性的硅胶薄膜在审
申请号: | 201911305926.0 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN112898780A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 邓仕杰;黄如慧 | 申请(专利权)人: | 明基材料股份有限公司 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08K9/06;C08K3/34;C08K7/26;C08J5/18;H01L33/56 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 胡少青;许媛媛 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水气 特性 硅胶 薄膜 | ||
1.一种具阻水气特性的硅胶薄膜,其特征在于,所述硅胶薄膜是经由固化一可固化硅树脂组成物而形成,该可固化硅树脂组成物包含:
10至25重量份的一线性聚硅氧烷,其平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结之芳基与二个与硅原子键结之烯基;
40至55重量份的一第一硅树脂,其平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R22SiO2/2单体,其中R1及R2为经取代的或未取代之烷基、经取代的或未取代之烯基或经取代的或未取代之芳基,在此平均单元结构式中,该R1SiO3/2单体所占的摩尔分率是介于0.60至0.75之间,且硅原子键结之烯基相对于所有与硅键结之官能基之摩尔数比值为0.03至0.15;
15至30重量份的一第二硅树脂,其平均单元结构式至少具有R3SiO3/2以及R43SiO1/2之单体,其中R3及R4为经取代的或未取代之烷基、经取代的或未取代之烯基或经取代的或未取代之芳基;
15至25重量份的至少一含硅氢键之聚硅氧烷,其化学结构式为:HR52SiO(SiR62O)nSiR52H,其中,R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子,R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基,n为大于等于0之整数;
10至40重量份的微层片(microsheet);以及
一铂族金属是催化剂;
其中,该具阻水气特性的硅胶薄膜之水气穿透率(WVTR)小于40gm-2day-1,可见光穿透率大于92%且雾度小于4%。
2.如权利要求1之具阻水气特性的硅胶薄膜,其特征在于,其中该微层片之一长径比是介于10至200之间。
3.如权利要求1之具阻水气特性的硅胶薄膜,其特征在于,其中该微层片之一长度是介于0.1微米(μm)至25微米(μm)之间。
4.如权利要求1之具阻水气特性的硅胶薄膜,其特征在于,其中该微层片是选自由云母、黏土、层状双氢氧化合物、磷酸氢钙以及氮化硼所组成之群组之至少之一或其组合。
5.如权利要求1之具阻水气特性的硅胶薄膜,其特征在于,其中该具阻水气特性的硅胶薄膜之25℃-50℃热膨胀系数(CTE)是介于20ppm至60ppm之间,80℃-100℃热膨胀系数(CTE)是介于50ppm至150ppm之间,且中心线平均粗糙度(Ra)是介于0.01微米(μm)至0.15微米(μm)间。
6.如权利要求1之具阻水气特性的硅胶薄膜,其特征在于,其中该可固化硅树脂成物进一步包括抑制剂、触变剂、抗沉降剂、无机填料、荧光粉或其组合。
7.如权利要求6之具阻水气特性的硅胶薄膜,其特征在于,其中于可固化硅树脂成物中的无机填料包括一气相二氧化硅。
8.如权利要求1之具阻水气特性的硅胶薄膜更包括一无机镀膜层,其特征在于,其位于该具阻水气特性的硅胶薄膜之一表面上。
9.如权利要求8之具阻水气特性的硅胶薄膜,其特征在于,其中该无机镀膜层是通过溅镀法(Sputter Deposition)或原子层沉积法(Atomic Layer Deposition,ALD)形成于该具阻水气特性的硅胶薄膜之一表面上。
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