[发明专利]碳化硼纯化方法有效
申请号: | 201911305909.7 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN110937605B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 刘媛;薛平;董明 | 申请(专利权)人: | 赛福纳米科技(徐州)有限公司 |
主分类号: | C01B32/991 | 分类号: | C01B32/991 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 221600 江苏省徐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化 纯化 方法 | ||
一种碳化硼纯化方法,属于材料提纯技术领域。该碳化硼纯化方法包括以下步骤:S1,去除待纯化碳化硼中金属杂质;S2,将步骤S1得到的碳化硼放入纯化腔体,将过量氧化硼放入预热腔体;S3,自预热腔体向纯化腔体持续通入氩气,然后分别加热纯化腔体和预热腔体至设定温度,氧化硼受热产生氧化硼蒸气,随氩气气流进入纯化腔体,与碳化硼中杂质游离碳、单质硼、单质硅反应,未反应的过量氧化硼蒸气进入冷凝腔体,冷凝结晶,尾气一氧化碳经长明火消除;S4,在预热腔体中氧化硼耗尽后,继续通氩气吹扫一段时间,之后停止加热,自然冷却至室温,之后停止通气,打开纯化腔体取出已纯化的碳化硼。本发明利用氧化硼高温气化、碳热还原反应的特性,对碳化硼进行纯化。
技术领域
本发明涉及的是一种材料提纯领域的技术,具体是一种碳化硼纯化方法。
背景技术
碳化硼陶瓷具有优异的物理力学性能,如密度低、强度高(碳化硼是仅次于金刚石和立方氮化硼的最坚硬材料),被广泛应用于装甲、核能领域。目前商用碳化硼粉体原料的制备方法种类较多,如自蔓延高温合成法、碳热还原法等;各种方法制备过程中,原料无法充分反应,碳化硼材料纯度较低(纯度小于95%)、含有大量的游离碳、氧化硼、金属或金属氧化物杂质,不利于高品质陶瓷烧制,因此需要对商用碳化硼粉体进行纯化处理。
为了解决现有技术存在的上述问题,本发明由此而来。
发明内容
本发明针对现有技术存在的上述不足,提出了一种碳化硼纯化方法,能够提纯得到高纯度的碳化硼。
本发明包括以下步骤:
S1,将待纯化碳化硼用酸液浸泡,淋洗,离心,除去金属杂质;
S2,将酸洗过的碳化硼放入纯化腔体,将过量氧化硼放入预热腔体中,通过法兰依次连接预热腔体、纯化腔体和冷凝腔体并抽真空密封;
S3,自预热腔体向纯化腔体持续通入惰性气体,然后加热纯化腔体至设定温度,再加热预热腔体至设定温度,氧化硼在预热腔体中受热产生氧化硼蒸气,随惰性气体气流进入纯化腔体,与纯化腔体中碳化硼,以及碳化硼中的杂质游离碳、单质硼、单质硅反应生成碳化硼和/或复合硼碳化物,未反应地过量氧化硼蒸气进入冷凝腔体,冷凝重结晶,尾气一氧化碳经长明火消除;
S4,在预热腔体中氧化硼耗尽后,继续通惰性气体吹扫一段时间,之后停止加热,自然冷却至室温,之后停止通气,打开纯化腔体取出已纯化的碳化硼。
步骤S2中,过量氧化硼与碳化硼摩尔比大于1。
步骤S3中,通入的惰性气体流量为0.2-3.0L/min,预热腔体的加热设定温度为500-1000℃,纯化腔体的加热设定温度为1000-1500℃,冷凝腔体的温度小于400℃。
技术效果
与现有技术相比,本发明具有如下技术效果:
1)利用氧化硼高温气化、碳热还原反应的特性,对碳化硼进行纯化,将碳化硼中的各种杂质转化为碳化硼和/或复合硼碳化物,具体的反应包括,2B2O3+7C=B4C+6CO(除去游离碳),B2O3+4C+2B=B4C+3CO(除去单质硼和游离碳),B2O3+C+Si→B12(B,Si,C)3+CO(除去游离硅和游离碳);
2)未反应的过量氧化硼进入冷凝腔体,冷凝结晶后可再利用,降低了纯化成本,冷凝腔体和预热腔体可以互换使用;
3)工艺简单、效率高、纯化彻底,节能环保,适合批量化生产。
附图说明
图1为实施例1中预热腔体、纯化腔体和冷凝腔体结构示意图;
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