[发明专利]一种微凸点连接结构在审

申请号：	201911304165.7	申请日：	2019-12-17
公开（公告）号：	CN112992823A	公开（公告）日：	2021-06-18
发明（设计）人：	黄宏娟;赵德胜;时文华;龚亚飞;张宝顺	申请（专利权）人：	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号：	H01L23/48	分类号：	H01L23/48
代理公司：	深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304	代理人：	孙伟峰
地址：	215123 江苏省***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种微凸点连接结构
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【说明书】：

本发明公开了一种微凸点连接结构，其中，微凸点连接结构的微凸点包括用于维持微凸点的预设高度的支撑结构。该支撑结构在电子元件的电极和微凸点的对接过程中，微凸点挤压到一定程度后能够阻止该微凸点的进一步的挤压，从而减小了微凸点的横向溢出，进而减小了相邻的微凸点之间发生短路的可能性。

技术领域

本发明涉及异质/异构集成技术领域，尤其涉及一种微凸点连接结构。

背景技术

异质/异构集成技术，是将微电子、光电子等不同功能的电子元件(通常为芯片)通过微凸点互连进行集成，比传统的三维微组装技术在体积上缩小至1/100，而性能上提高100倍，因此电子元件级的异质/异构集成技术将在信息系统的传感、通信、处理和执行等方面产生革命性的影响。随着异质/异构集成技术的不断推进，微凸点节距越来越小，目前报道的微凸点之间的最小节距达到3μm，不断缩小的微凸点直径和凸点间隙对微凸点制备技术提出了前所未有的挑战，同时极小的凸点间隙给后续的互连技术带来了极大的困难，具体如图1所示(图中A表示现有技术中的微凸点连接结构)，将电子元件C的电极C1对接在设于基底B上的微凸点A1时，如施加的压力过大(如图2所示)会使微凸点A1过度挤压，使微凸点A1形成溢出部A1'(进行对接的时候微凸点处于熔融状态，因此被挤压时微凸点发生形变)，使相邻的两个微凸点A1之间随着溢出部A1'之间接触形成了导通的电路，从而导致了相邻的两个微凸点A1之间发生短路现象。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种微凸点连接结构，其中，所述微凸点连接结构的微凸点包括用于维持所述微凸点的预设高度的支撑结构。

优选地，所述支撑结构包括套设在所述微凸点侧壁的套管，所述套管为绝缘材料。

优选地，所述套管的高度小于或等于所述微凸点的高度。

优选地，所述支撑结构包括设于所述微凸点内部的至少一限位柱。

优选地，所述限位柱的高度小于或等于所述微凸点的高度。

优选地，所述支撑结构包括围绕所述微凸点侧壁的绝缘层。

优选地，所述绝缘层的高度小于或等于所述微凸点的高度。

优选地，所述微凸点连接结构还包括基底和在所述基底的一表面上依序设置的第一导电层、钝化层、第二导电层，所述钝化层具有至少一过孔，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述过孔相互连接；其中，所述微凸点设于所述第二导电层上。

优选地，所述第一导电层包括导电金属层和粘附金属层，所述导电金属层为Au、Ag、Cu中的一种，所述粘附金属层为Ti、Ni、Cr中的一种。

优选地，所述第二导电层包括以背向所述第一导电层的方向依序形成的第二粘附金属层、阻挡层和浸润层。

与现有技术相比，本发明的微凸点包括用于维持所述微凸点的预设高度的支撑结构，该支撑结构在电子元件的电极和微凸点的对接过程中，微凸点挤压到一定程度后能够阻止该微凸点的进一步的挤压，从而减小了微凸点的横向溢出，进而减小了相邻的微凸点之间发生短路的可能性。