[发明专利]一种微凸点连接结构在审

专利信息
申请号: 201911304165.7 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN112992823A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 黄宏娟;赵德胜;时文华;龚亚飞;张宝顺 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 微凸点 连接 结构
【权利要求书】:

1.一种微凸点连接结构,其特征在于,所述微凸点连接结构的微凸点包括用于维持所述微凸点的预设高度的支撑结构。

2.根据权利要求1所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述支撑结构包括套设在所述微凸点侧壁的套管,所述套管为绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述套管的高度小于或等于所述微凸点的高度。

4.根据权利要求1所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述支撑结构包括设于所述微凸点内部的至少一限位柱。

5.根据权利要求4所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述限位柱的高度小于或等于所述微凸点的高度。

6.根据权利要求1所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述支撑结构包括围绕所述微凸点侧壁的绝缘层。

7.根据权利要求6所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述绝缘层的高度小于或等于所述微凸点的高度。

8.根据权利要求1至7任一所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述微凸点连接结构还包括基底和在所述基底的一表面上依序设置的第一导电层、钝化层、第二导电层,所述钝化层具有至少一过孔,所述第一导电层和所述第二导电层通过所述过孔相互连接;其中,所述微凸点设于所述第二导电层上。

9.根据权利要求8所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述第一导电层包括导电金属层和粘附金属层,所述导电金属层为Au、Ag、Cu中的一种,所述粘附金属层为Ti、Ni、Cr中的一种。

10.根据权利要求9所述的微凸点连接结构,其特征在于,所述第二导电层包括以背向所述第一导电层的方向依序形成的第二粘附金属层、阻挡层和浸润层。

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