[发明专利]像素电路布局结构、显示面板和显示装置

说明书

本申请公开了一种像素电路布局结构、显示面板和显示装置，该像素电路包括：多个薄膜晶体管和存储电容，第一薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管为驱动晶体管；形成第一薄膜晶体管的多晶硅层为U形走线，U形走线与第一栅极层走线有两个交叠区域，形成第一薄膜晶体管的两个子薄膜晶体管；当有电流通过时，两个子薄膜晶体管与像素电路中其他薄膜晶体管的多晶硅层走线中电流方向一致，可以保证像素电路中各薄膜晶体管的性能一致，保证显示屏的显示质量。

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域，具体涉及一种像素电路布局结构、显示面板和显示装置。

背景技术

显示屏是显示装置的核心部件，常用的显示屏主要是薄膜晶体管液晶显示屏(英文：Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display；简称：TFT-LCD)、发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)显示屏或者有机发光二极管显示屏(英文：OrganicLight Emitting Display，简称：OLED)，其都是以薄膜晶体管(英文：Thin FilmTransistor，简称：TFT)做为显示屏像素点的开关部件和驱动部件的显示屏。

在显示屏处于工作状态时，各像素点子像素中的多个薄膜晶体管和存储电容组成的像素电路可以打开该子像素，保证显示屏正常显示画面。常见的像素电路如图1所示，包括7个薄膜晶体管和1个电容，也称7T1C型像素电路，其中，第一薄膜晶体管T1和第四薄膜晶体管T4是双栅型薄膜晶体管。

在相关技术中，在薄膜晶体管的制作过程中，可以通过准分子激光远火(英文：Excimer Laser Annealing，简称：ELA)工艺使沉积于基板上的无定型硅成为硅原子形核方向一致的多晶硅层。当显示屏处于工作状态时，若多个薄膜晶体管的多晶硅层中电流方向一致，可以保证各薄膜晶体管的性能一致，保证显示效果。但是，在现有的像素电路布局结构中，当显示屏处于工作状态时，第一薄膜晶体管的一个子薄膜晶体管与其他薄膜晶体管的多晶硅层中电流方向不一致，各薄膜晶体管的性能不一致，影响显示质量。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种像素电路中形成薄膜晶体管的多晶硅层中电流方向一致的像素电路布局结构、显示面板和显示装置。

第一方面，本发明实施例提供一种像素电路布局结构，包括，多个薄膜晶体管和存储电容，第一薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管为驱动晶体管；

形成第一薄膜晶体管的多晶硅层为U形走线，U形走线与第一栅极层走线有两个交叠区域，形成第一薄膜晶体管的两个子薄膜晶体管；

当有电流通过时，两个子薄膜晶体管的多晶硅层走线中电流方向一致。

第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，显示面板的像素电路布局结构为如第一方面的像素电路布局结构。

第三方面，本发明实施例提供一种显示装置，显示装置的显示面板的像素电路布局结构为第一方面的像素电路布局结构。或者，显示装置的显示面板为如第二方面的显示面板。

本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请实施例提供的像素电路布局结构、显示面板和显示装置，形成第一薄膜晶体管的多晶硅层为U形走线，U形走线与第一栅极层走线有两个交叠区域，形成第一薄膜晶体管的两个子薄膜晶体管；当有电流通过时，两个子薄膜晶体管的多晶硅层走线中电流方向一致，保证像素电路中各薄膜晶体管的性能一致，保证显示屏的显示质量。

U形多晶硅层走线的非交叠区域和第二栅极层走线交叠区域的面积较大，增大了交叠区域形成的存储电容的电容，提升了该存储电容的抗干扰能力。

附图说明