[发明专利]半导体装置及其制备方法

说明书

本发明涉及一种半导体装置及其制备方法。其中，半导体装置包括半导体组件，半导体组件包括：芯片，包括相对设置的第一侧面和第二侧面，第一侧面设有至少一个电极区和非电极区，至少一个电极区的每个电极区内设有电极；至少一个电极区包括第一电极区；胶膜层，设于非电极区；第一电连接件，包括第一接合部，第一接合部与胶膜层粘接，第一电连接件、第一电极区，以及第一电极区周围的胶膜层共同形成空腔，第一电连接件与空腔相对应的位置设有通孔；以及导电结合件，设于空腔以及通孔内，且将第一电连接件与芯片接合。本发明可缓解导电结合材料的四溢以及空洞或气泡的产生，使芯片与第一电连接件之间的接合更紧密，提高可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体装置及其制备方法。

背景技术

随着电子集成电路集成化、模块化、微型化的发展，对芯片封装的要求也越来越高。而功率器件的发热问题是半导体行业面临的最主要的问题之一，为此，人们进行了相关探索，从一开始的引线焊接到散热片的贴附，再到铜桥散热结构，散热效果得到极大提升。

采用铜桥散热结构虽然使散热效果有了明显提高，但是在封装过程中芯片与铜桥之间存在溢胶、空洞，造成芯片与铜桥之间接合不紧密等问题，随着使用时间的增加会出现产品失效。

发明内容

本发明的一些实施例提出一种半导体装置及其制备方法，用于缓解接合不紧密的问题。

本发明的一些实施例提供了一种半导体装置，其包括半导体组件，所述半导体组件包括：

芯片，包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面设有至少一个电极区和非电极区，所述至少一个电极区的每个电极区内设有电极；所述至少一个电极区包括第一电极区；

胶膜层，设于所述非电极区；

第一电连接件，包括第一接合部，所述第一接合部与所述胶膜层粘接，所述第一电连接件、所述第一电极区，以及所述第一电极区周围的所述胶膜层共同形成空腔，所述第一电连接件与所述空腔相对应的位置设有通孔；以及

导电结合件，设于所述空腔以及所述通孔内，且将所述第一电连接件与所述芯片接合。

在一些实施例中，所述通孔的截面积小于所述空腔的截面积。

在一些实施例中，所述半导体组件还包括引线框架和第一导电结合层，所述引线框架设于所述芯片远离所述胶膜层的一侧，所述第一导电结合层设于所述芯片与所述引线框架之间，所述芯片通过所述第一导电结合层与所述引线框架接合。

在一些实施例中，所述半导体组件还包括第一引脚和第二导电结合层，所述第二导电结合层设于所述第一引脚，所述第一电连接件还包括第二接合部，所述第二接合部通过所述第二导电结合层与所述第一引脚接合。

在一些实施例中，所述第一引脚与所述引线框架位于同一水平面，所述第一电连接件的第一接合部与第二接合部之间形成拐角。

在一些实施例中，所述半导体组件还包括第二引脚、第三导电结合层、第四导电结合层和第二电连接件，所述第三导电结合层设于所述第二引脚，所述至少一个电极区包括第二电极区，所述第四导电结合层设于所述第二电极区，所述第二电连接件的第一端通过所述第三导电结合层与所述第二引脚接合，所述第二电连接件的第二端通过所述第四导电结合层与第二电极区接合。

在一些实施例中，还包括封装材料，所述封装材料将所述半导体组件封装在内，其中，所述第一电连接件包括露出所述封装材料的外接面。

在一些实施例中，还包括电镀层，所述电镀层设于所述第一电连接件的外接面。

在一些实施例中，所述第一电极区设置的电极为发射极，所述第二侧面设有集电极，所述第二电极区设置的电极为栅极。

在一些实施例中，所述胶膜层的材料包括环氧树脂或硅胶。