[发明专利]半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括半导体组件(100)，所述半导体组件(100)包括：

芯片(1)，包括相对设置的第一侧面(11)和第二侧面(12)，所述第一侧面(11)设有至少一个电极区(13)和非电极区(14)，所述至少一个电极区(13)的每个电极区(13)内设有电极；所述至少一个电极区(13)包括第一电极区(131)；

胶膜层(2)，设于所述非电极区(14)；

第一电连接件(3)，包括第一接合部(31)，所述第一接合部(31)与所述胶膜层(2)粘接，所述第一电连接件(3)、所述第一电极区(131)，以及所述第一电极区(131)周围的所述胶膜层(2)共同形成空腔(34)，所述第一电连接件(3)与所述空腔(34)相对应的位置设有通孔(33)；以及

导电结合件(4)，设于所述空腔(34)以及所述通孔(33)内，且将所述第一电连接件(3)与所述芯片(1)接合。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述通孔(33)的截面积小于所述空腔(34)的截面积。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体组件(100)还包括引线框架(5)和第一导电结合层(61)，所述引线框架(5)设于所述芯片(1)远离所述胶膜层(2)的一侧，所述第一导电结合层(61)设于所述芯片(1)与所述引线框架(5)之间，所述芯片(1)通过所述第一导电结合层(61)与所述引线框架(5)接合。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体组件(100)还包括第一引脚(71)和第二导电结合层(62)，所述第二导电结合层(62)设于所述第一引脚(71)，所述第一电连接件(3)还包括第二接合部(32)，所述第二接合部(32)通过所述第二导电结合层(62)与所述第一引脚(71)接合。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一引脚(71)与所述引线框架(5)位于同一水平面，所述第一电连接件(3)的第一接合部(31)与第二接合部(32)之间形成拐角。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体组件(100)还包括第二引脚(72)、第三导电结合层(63)、第四导电结合层(64)和第二电连接件(8)，所述第三导电结合层(63)设于所述第二引脚(72)，所述至少一个电极区(13)包括第二电极区(132)，所述第四导电结合层(64)设于所述第二电极区(132)，所述第二电连接件(8)的第一端通过所述第三导电结合层(63)与所述第二引脚(72)接合，所述第二电连接件(8)的第二端通过所述第四导电结合层(64)与第二电极区(132)接合。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括封装材料(200)，所述封装材料(200)将所述半导体组件(100)封装在内，其中，所述第一电连接件(3)包括露出所述封装材料(200)的外接面。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还包括电镀层(9)，所述电镀层(9)设于所述第一电连接件(3)的外接面。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电极区(131)设置的电极为发射极，所述第二侧面(12)设有集电极，所述第二电极区(132)设置的电极为栅极。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述胶膜层(2)的材料包括环氧树脂或硅胶。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电连接件(3)的材料包括铜、铁镍合金或铜镍合金。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电结合件(4)的材料包括锡膏、银浆或者导电胶。