[发明专利]双向功率开关

权利要求书

1.一种双向功率开关，包括：第一部件、第二部件和第三部件，其中每个部件包括：

第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域的堆叠，所述第一半导体区域到所述第三半导体区域具有交替的传导类型；并且

具有与所述第一半导体区域的传导类型相反的传导类型并且被布置在所述第一半导体区域中的半导体控制区域，

其中：

所述第一部件和所述第二部件的第一半导体区域具有相同的传导类型并且所述第一部件和所述第三部件的第一半导体区域具有相反的传导类型；

所述第一部件的第一半导体区域被连接到所述第二部件和所述第三部件的半导体控制区域；

所述第二部件和所述第三部件的第一半导体区域被连接到所述开关的第一导电端子；

所述第一部件、所述第二部件和所述第三部件的第三半导体区域被连接到所述开关的第二导电端子；并且

所述第一部件的半导体控制区域被连接到所述开关的控制端子，

其中所述第一部件的所述第一半导体区域与所述第二部件和所述第三部件的所述半导体控制区域直接电连接；

其中所述第二部件和所述第三部件的所述第一半导体区域与所述开关的所述第一导电端子直接电连接；以及

其中所述第一部件、所述第二部件和所述第三部件的所述第三半导体区域与所述开关的所述第二导电端子直接电连接。

2.根据权利要求1所述的开关，其中所述第一部件的第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域分别是P型、N型和P型的。

3.根据权利要求1所述的开关，其中所述第一部件的半导体表面比所述第二部件和所述第三部件中的每个部件的半导体表面小。

4.根据权利要求1所述的开关，其中所述第一部件、所述第二部件和所述第三部件分别被形成在三个不同的半导体芯片中。

5.根据权利要求4所述的开关，其中所述三个不同的半导体芯片被组装在同一保护封装中。

6.根据权利要求5所述的开关，其中所述保护封装包括被分别连接到所述开关的所述第一导电端子和所述第二导电端子以及所述控制端子的三个外部连接端子。

7.根据权利要求4所述的开关，其中所述三个不同的半导体芯片被组装在三个不同的保护封装中。

8.根据权利要求1所述的开关，其中所述第一部件和所述第二部件被形成在第一半导体芯片上，并且其中所述第三部件被形成在第二半导体芯片中，并且其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被组装在同一保护封装中。

9.根据权利要求8所述的开关，其中所述保护封装包括被分别连接到所述开关的所述第一导电端子和所述第二导电端子以及所述控制端子的三个外部连接端子。

10.根据权利要求1所述的开关，其中所述第一部件和所述第二部件的第二半导体区域具有在从7x10¹³到4x10¹⁴原子/cm³的范围中的掺杂水平以及在从150到250μm的范围中的厚度，并且其中所述第三部件的第二半导体区域具有在从7x10¹³到4x10¹⁴原子/cm³的范围中的掺杂水平并且具有在从150到250μm的范围中的厚度。