[发明专利]一种快捷方便的断裂顶针回收装置有效
| 申请号: | 201911299497.0 | 申请日: | 2019-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN112981367B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
| 发明(设计)人: | 李娜;张军;程实然;侯永刚;刘海洋;王铖熠;吴志浩;许开东 | 申请(专利权)人: | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 徐尔东 |
| 地址: | 221300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 快捷 方便 断裂 顶针 回收 装置 | ||
本发明涉及一种快捷方便的断裂顶针回收装置,包括进行化学气相沉积的腔室,腔室中部设有加热台,机械手从腔室侧壁上的宽槽孔进入将晶圆送达加热台正上方,通过顶针机构中的顶针将晶圆放置在加热台上,腔室底部设有抽气腔,抽气腔通过抽气管道连接有真空泵,还包括阻挡片、疏通装置以及储存装置,其中:阻挡片呈环形,套设在加热台上,疏通装置设于加热台上,储存装置设置于腔室底部,阻挡片环形结构上落有碎顶针,疏通装置将碎顶针疏通至储存装置中;本发明通过真空泵工作后,碎顶针掉落在阻挡片上,疏通装置底部连接通入纯净的气体,将碎顶针吹落入储蓄装置中,只需将储存装置底部拆卸即可取出碎顶针,该方法无需拆卸抽气泵和加热台,操作极其便利。
技术领域
本发明属于半导体分析测量技术领域,具体涉及一种快捷方便的断裂顶针回收装置。
背景技术
目前许多类似化学气相沉积技术的操作,尤其是半导体行业中, 都是在真空的环境中进行的。通常用户在工艺腔室外侧的传输腔内手动将晶圆放置到机械手上,之后关闭传输腔腔盖,对该部分腔体进行抽真空,待真空度到达一定程度后,打开工艺腔与传输腔之间的门阀,机械手载晶圆进入腔室内加热台的正上方,顶针机构将晶圆从机械手上取下来,放到加热台的上表面。
在一些类似于化学气相沉积的设备中,加热台是固定在腔室上的,顶针机构负责晶圆的从机械手上的搬运,且通常顶针都是陶瓷等不会对设备产生杂质的材质。但是当顶针由于与加热台孔壁的摩擦发生断裂情况时,碎顶针掉落在腔室内部,如果不能及时发现并取出,碎顶针会被抽入真空泵内,造成泵堵转,损坏泵的运行,维修成本太高。现有技术中如需取出碎顶针需将抽气腔和加热台拆卸下来,极其不方便,耗时耗力。
发明内容
本发明提供一种快捷方便的断裂顶针回收装置,解决了现有技术中维护时间长,影响设备的正常运行,且有可能造成加热台再次安装后的水平位置度,影响工艺结果等问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种快捷方便的断裂顶针回收装置,包括进行化学气相沉积的腔室,所述腔室中部设有加热台,机械手从所述腔室侧壁上的宽槽孔进入将晶圆送达所述加热台正上方,通过所述顶针机构中的顶针将所述晶圆放置在所述加热台上,所述腔室底部设有抽气腔,所述抽气腔通过抽气管道连接有真空泵,还包括阻挡片、疏通装置以及储存装置,其中:
所述阻挡片呈环形,套设在所述加热台上,所述疏通装置设于所述加热台上,所述储存装置设置于所述腔室底部;
所述阻挡片环形结构上落有碎顶针,所述疏通装置将所述碎顶针疏通至储存装置中。
优选的,包括若干圆孔和中心孔,所述阻挡片中部为中心孔,所述阻挡片环形结构上分布若干所述圆孔。
优选的,若干所述圆孔孔径小于所述顶针横截面直径。
优选的,所述疏通装置包括凸起、若干轴向通道和径向凹槽,所述阻挡片与所述加热台接触处为所述凸起,所述凸起中部设有所述径向凹槽,若干所述轴向通道与所述径向凹槽连通。
优选的,所述凸起横截面外径小于所述中心孔直径,且所述凸起轴侧面与所述中心孔孔壁接触,同时所述径向凹槽槽口位于所述阻挡片上方。
优选的,所述储存装置包括若干间隔槽、内密封槽、外密封槽、若干螺纹孔以及环形堵板,若干所述间隔槽沿所述腔室底部分布一圈,若干所述间隔槽内圈设有所述内密封槽,外圈设有所述外密封槽,所述内密封槽以及所述外密封槽安装有密封圈并通过所述环形堵板封堵,所述环形堵板通过若干所述螺纹孔固定在所述腔室底部。
优选的,还包括若干密封圈,所述轴向通道底部与所述抽气腔接触处通过若干所述密封圈密封。
通过以上技术方案,相对于现有技术,本发明具有以下有益效果:
1、本发明避免了为取出碎顶针需拆卸抽气腔和加热台的问题,极大程度的提高了设备的维护效率;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





