[发明专利]一种扩散炉推拉舟改善方法

说明书

本发明公开了一种扩散炉推拉舟改善方法，包括以下步骤：A、首先在炉口处安装过渡平台，且过渡平台的台面与炉口内腔底壁处于同一水平面；B、拉出晶舟后，使晶舟底部支撑在过渡平台台面上；C、冷却一段时间后，继续向外拉出晶舟，晶舟底部始终支撑在过渡平台台面上，直至完全拉出晶舟，本发明采用的方法操作简单，原有的扩散工艺原进出炉时间评估为1小时，且需要人员手动托舟，在使用进出炉支架后可缩短进出炉时间时间至20分钟，完全省去操作人员手动托舟的风险，有进出炉支架取代，从而完全避免人员进出炉步骤时的摔舟碎片风险。

技术领域

本发明涉及晶圆扩散技术领域，具体为一种扩散炉推拉舟改善方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999％。晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合，剩下硅)，得到纯度约为98％的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999％，成为电子级硅。接下来是单晶硅生长，最常用的方法叫直拉法。

晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。

晶圆在扩散工艺的时候因盛装晶圆的工装(晶舟)需要作业人员使用石英勾从高温炉管内手动勾出，每次勾出一定距离后就需要在路口处降温到一定范围时再勾出，如此反复循环直到将整个工装拉出管外，且每次进出炉时费时费力，需要作业人员使用石英托架手托着晶舟，操作很不便，效率低下且又存在掉舟等安全风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种扩散炉推拉舟改善方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种扩散炉推拉舟改善方法，包括以下步骤：

A、首先在炉口处安装过渡平台，且过渡平台的台面与炉口内腔底壁处于同一水平面；

B、拉出晶舟后，使晶舟底部支撑在过渡平台台面上；

C、冷却一段时间后，继续向外拉出晶舟，晶舟底部始终支撑在过渡平台台面上，直至完全拉出晶舟。

优选的，所述步骤A中过渡平台包括台面、底部支撑架和安装板，所述安装板通过螺丝安装在底部支撑架一侧，且所述安装板安装在炉体外壁，所述台面焊接在底部支撑架上，所述台面、底部支撑架和安装板均采用不锈钢材质制成。

优选的，所述底部支撑架底部设有支撑腿，且所述底部支撑架与支撑腿之间安装有减震弹簧。

优选的，所述减震弹簧采用高强度螺旋形弹簧体，且所述减震弹簧采用不锈钢材质制成。

优选的，所述安装板与炉体为可拆卸式结构。