[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制造方法

说明书

本申请涉及发光二极管技术领域，具体公开了一种Micro‑LED芯片及其制造方法，该Micro‑LED芯片包括：缓冲层；发光外延层，包括依次层叠设置于缓冲层的一侧主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，台面结构进一步由以离子轰击方式形成的一体绝缘区划分成阵列排布且彼此独立的多个发光单元。通过上述方式，本申请能够提高Micro‑LED芯片成品率。

技术领域

本申请涉及发光二极管领域，特别是一种Micro-LED芯片及其制造方法。

背景技术

Micro-LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。Micro-LED技术，将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1～10μm等级左右。

本申请的发明人在长期的研发过程中，发现由于Micro-LED的尺寸小，半导体外延结构的蚀刻尺寸、深度较难控制，因此难以保证加工界面的平整性，并在制作上具有较高的难度，最终导致Micro-LED芯片成品率下降。

发明内容

本申请提出一种Micro-LED芯片及其制造方法，能够提高Micro-LED芯片成品率。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供了一种Micro-LED芯片，Micro-LED芯片包括：缓冲层；发光外延层，包括依次层叠设置于缓冲层的一侧主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，台面结构进一步由以离子轰击方式形成的一体绝缘区划分成阵列排布且彼此独立的多个发光单元。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供了一种Micro-LED芯片的制造方法，Micro-LED芯片包括：提供一衬底；在衬底的一侧主表面上形成缓冲层；在缓冲层远离衬底的主表面上形成发光外延层，发光外延层包括依次层叠设置于缓冲层的主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层；对第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层进行图案化和离子轰击，以形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，并使得台面结构进一步由以离子轰击方式形成的一体绝缘区划分成彼此独立的多个发光单元；在第一导电类型半导体层由台面结构外露的部分上形成第一导电类型电极，其中第一导电类型电极与第一导电类型半导体层电连接；在台面结构的顶部形成第二导电类型电极，其中第二导电类型电极与各发光单元的第二导电类型半导体层电连接。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，且台面结构进一步由以离子轰击方式形成的一体绝缘区划分成阵列排布且彼此独立的多个发光单元，实现在同一缓冲层上一次性外延多个发光单元。同时，由于本申请采用了离子轰击技术，不需使用台面蚀刻技术，可以减小加工界面的损失，进而得到提高Micro-LED芯片成品率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本申请第一实施例的Micro-LED芯片的结构示意图；

图2是本申请第一实施例的Micro-LED芯片的第一俯视结构示意图；

图3是本申请第一实施例的Micro-LED芯片的第二俯视结构示意图；

图4是本申请第一实施例的Micro-LED芯片的第三俯视结构示意图；