[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括：

缓冲层；

发光外延层，包括依次层叠设置于所述缓冲层的一侧主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其中所述第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层形成部分外露所述第一导电类型半导体层的台面结构，所述台面结构进一步由以离子轰击方式形成的一体绝缘区划分成阵列排布且彼此独立的多个发光单元。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片进一步包括：

第一导电类型电极，设置于所述第一导电类型半导体层由所述台面结构外露的部分上，并与所述第一导电类型半导体层电连接；

第二导电类型电极，设置于所述台面结构的顶部，并与各所述发光单元的所述第二导电类型半导体层电连接。

3.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片进一步包括设置于所述第二导电类型半导体层和所述第二导电类型电极之间的反射镜层。

4.根据权利要求3所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述反射镜层为一体结构，并覆盖于所述一体绝缘区和所述多个发光单元上。

5.根据权利要求3所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片进一步包括覆盖所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极的绝缘层，所述绝缘层上设置有分别外露所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极的第一开口和第二开口，所述Micro-LED芯片分别经所述第一开口和第二开口电连接至所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极的第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述多个发光单元沿所述缓冲层的主表面的平行方向的横截面积和/或间距呈非均匀分布。

7.根据权利要求6所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述多个发光单元沿所述缓冲层的主表面的平行方向的横截面积在靠近所述第一导电类型电极的方向上逐渐增大，并且/或者所述多个发光单元沿所述缓冲层的主表面的平行方向的间距在靠近所述第一导电类型电极的方向上逐渐变小。

8.根据权利要求6所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述多个发光单元沿所述缓冲层的主表面的平行方向的横截面积从所述台面结构的中部向两端逐渐增大或减小，并且/或者所述多个发光单元沿所述缓冲层的主表面的平行方向的间距从所述台面结构的中部向两端逐渐减小或增大。

9.一种Micro-LED芯片的制造方法，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧主表面上形成缓冲层；

在所述缓冲层远离所述衬底的主表面上形成发光外延层，所述发光外延层包括依次层叠设置于所述缓冲层的所述主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层；

对所述第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层进行图案化和离子轰击，以形成部分外露所述第一导电类型半导体层的台面结构，并使得所述台面结构进一步由以离子轰击方式形成的一体绝缘区划分成彼此独立的多个发光单元；

在所述第一导电类型半导体层由所述台面结构外露的部分上形成第一导电类型电极，其中所述第一导电类型电极与所述第一导电类型半导体层电连接；

在所述台面结构的顶部形成第二导电类型电极，其中第二导电类型电极与各所述发光单元的所述第二导电类型半导体层电连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对所述台面结构进行图案化离子轰击的步骤之后，进一步包括：

在所述台面结构上进一步形成反射镜层，其中所述反射镜层为一体结构，并覆盖于所述一体绝缘区和所述多个发光单元上。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

利用绝缘层覆盖所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极，并在所述绝缘层上形成分别外露所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极的第一开口和第二开口；

形成分别经所述第一开口和第二开口电连接至所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极的第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘。