[发明专利]一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池在审
| 申请号: | 201911289187.0 | 申请日: | 2019-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN110854241A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
| 发明(设计)人: | 武禄;杨洁;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王雨 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 表面 选择性 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:
在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层;
通过选择性抛光溶液对所述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光,所述选择性抛光溶液在所述抛光过程中不能蚀穿所述掩膜层;
通过表面清洗剂去除所述掩膜层,设置钝化层与电极,得到具有选择性织构化的太阳能电池。
2.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括:
在所述太阳能电池前置物表面整面设置掩膜层;
在所述织构化区域对应的所述掩膜层上方设置有机物层;
通过腐蚀剂去除未被所述有机物层覆盖的所述掩膜层;
通过有机物溶解液去除所述有机物层,得到在所述织构化区域设置的掩膜层。
3.如权利要求2所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述有机物层为石蜡层。
4.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括:
在所述太阳能电池前置物表面整面设置掩膜层;
激光刻蚀所述非织构化区域,得到在所述织构化区域设置的掩膜层。
5.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括:
通过丝网印刷或喷墨打印在所述织构化区域设置所述掩膜层。
6.如权利要求4或5所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,在所述激光刻蚀所述非织构化区域之后,还包括:
通过去氧化剂去除所述激光刻蚀产生的热氧化层。
7.如权利要求6所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,具体为:
通过氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液去除所述激光刻蚀产生的热氧化层及所述掩膜层,得到具有选择性织构化的太阳能电池。
8.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述表面清洗剂为氢氟酸。
9.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法,其特征在于,当所述太阳能电池前置物为钝化接触电池时,所述掩膜层为二氧化硅掩膜层或碳化硅掩膜层或氮化硅掩膜层;
当所述太阳能电池前置物为非钝化接触电池时,所述掩膜层为磷硅玻璃或硼硅玻璃。
10.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池为经过如权利要求1至9任一项所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法得到的太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





