[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

形成半导体结构的方法包括将电压调节器附接至第一封装件的第一再分布结构。在电压调节器上方形成第二再分布结构，该电压调节器嵌入在第二再分布结构中。第一衬底附接至第二再分布结构以形成包括第一封装件的第二封装件。可以将第一电压提供给第二再分布结构，并且通过第二再分布结构提供给电压调节器。电压调节器将第一电压调节为第二电压，并且通过第一再分布结构将第二电压提供给第一器件管芯，其中，电压调节器的输出端直接附接至第一再分布结构。本发明的实施例还涉及半导体结构。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术

在集成电路中，诸如片上系统(SOC)管芯和中央处理器(CPU)的某些电路组件对输入/输出(IO)和功耗有较高的要求。例如，CPU可以包括多个芯，并且需要消耗大量的功率。另一方面，对提供的功率的要求也较高。例如，电源电压需要非常稳定，并且从电压源至用户器件的电压降需较低。尤其是，由于需要提高数据速率和带宽并且降低延迟，因此高性能计算(HPC)已变得越来越普及并且广泛用于改进的网络和服务器应用程序，尤其是与人工智能(AI)相关的产品。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：将电压调节器附接至第一封装件的第一再分布结构；在所述电压调节器上方形成第二再分布结构，所述电压调节器嵌入在所述第二再分布结构中；以及将第一衬底附接至所述第二再分布结构以形成包括所述第一封装件的第二封装件。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：将第一器件附接至载体衬底；将所述第一器件横向密封在第一密封剂中；从所述第一密封剂暴露所述第一器件的接触焊盘；将第二器件附接至所述接触焊盘；在所述第一器件和所述第一密封剂上方形成第一再分布结构，所述第一再分布结构将所述第二器件嵌入在所述第一再分布结构的一层或多层中；提供准备的衬底；以及将所述准备的衬底附接至与所述第二器件相对的所述第一再分布结构。

本发明的又一实施例提供了一种半导体结构，包括：第一再分布结构，设置在衬底上方；电压调节器，设置在所述第一再分布结构上方，所述电压调节器的连接件远离所述第一再分布结构；第二再分布结构，设置在所述电压调节器上方，所述电压调节器设置在所述第二再分布结构的横向范围内；以及器件管芯，设置在所述第二再分布结构上方，其中，所述第二再分布结构将所述电压调节器的输出端电耦接至所述器件管芯的输入端。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图2至图13示出了根据一些实施例的在用于形成封装组件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图14至图22示出了根据一些实施例的在用于形成包括嵌入式集成电压调节器的封装组件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图23至图29示出了根据一些实施例的在用于形成包括嵌入式集成电压调节器的封装组件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图30至图31示出了根据一些实施例的在用于形成包括嵌入式集成电压调节器的封装组件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图32示出了根据一些实施例的用于调节提供给器件管芯的电压的工艺流程的流程图。

具体实施方式