[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

将电压调节器附接至第一封装件的第一再分布结构，所述第一封装件是集成扇出封装件，所述集成扇出封装件包括由第一密封剂横向围绕的第一嵌入式管芯，以及设置在所述第一密封剂上方的所述第一再分布结构，

所述第一封装件横向密封在第二密封剂中，所述第二密封剂形成在所述第一再分布结构的侧壁上；

在所述电压调节器上方形成第二再分布结构，所述电压调节器嵌入在所述第二再分布结构中；以及

将第一衬底附接至所述第二再分布结构以形成包括所述第一封装件的第二封装件，所述第二再分布结构的横向范围大于所述第一衬底的横向范围。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一衬底上方和周围形成第三密封剂；以及

分割所述第二封装件，其中，在所述分割之后，所述第三密封剂保留在所述第一衬底的侧壁上。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述第一衬底附接至印刷电路板上以形成第一器件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电压调节器在所述第一再分布结构的横向范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二密封剂的部分延伸到所述第一再分布结构上方并且横向围绕所述第一再分布结构的接触焊盘。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过所述第二再分布结构将第一电压信号路由至所述电压调节器；

将所述第一电压信号调节为第二电压信号，所述第二电压信号的电压幅度小于所述第一电压信号；以及

通过所述第一再分布结构将所述第二电压信号路由至所述第一封装件的器件管芯，而无需通过所述第二再分布结构路由所述第二电压信号。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述电压调节器附接至所述第一再分布结构包括将所述电压调节器的连接件接合至所述第一再分布结构的相应的接触焊盘。

8.一种形成半导体结构的方法，包括：

将第一器件附接至载体衬底，所述第一器件是集成扇出封装件，所述集成扇出封装件包括由第一密封剂横向围绕的第一嵌入式管芯，以及设置在所述第一密封剂上方的扇出互连件；

将所述第一器件横向密封在第二密封剂中，所述第二密封剂形成在所述扇出互连件的侧壁上；

从所述第二密封剂暴露所述第一器件的接触焊盘；

将第二器件附接至所述接触焊盘；

在所述第一器件和所述第一密封剂上方形成第一再分布结构，所述第一再分布结构将所述第二器件嵌入在所述第一再分布结构的一层或多层中；

提供准备的衬底；以及

将所述准备的衬底附接至与所述第二器件相对的所述第一再分布结构。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

去除所述载体衬底；以及

从第二封装件分割第一封装件，所述第一封装件包括所述第一器件和所述准备的衬底，其中，在分割之前和之后，所述准备的衬底的尺寸相同。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

将所述准备的衬底横向密封在第三密封剂中；以及

在所述准备的衬底上方形成连接件，其中，在分割之后，所述第三密封剂覆盖所述准备的衬底的侧壁。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二器件在所述第一器件的横向范围内。