[发明专利]包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置

说明书

本发明提供包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置，在包含树脂的大型的复合基板的磨削中，能够抑制磨削砂轮的堵塞，且能够有效且高精度地执行磨削工序。该方法对将半导体器件芯片或电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板的表面进行磨削，具有：使对复合基板的表面进行磨削的磨削部件的至少一部分与所述表面接触的工序；向复合基板的表面与所述磨削部件的接触部分或非接触部分中的至少一方供给水的工序；以及在供给水的工序的同时，对所述复合基板的所述表面进行磨削的磨削加工工序。

本申请以2018年12月20日向日本专利局提交的日本专利申请2018-238095为基础，享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及基于用于同时大量生产半导体器件芯片等的封装技术的包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置。

背景技术

为了大量且低成本地生产半导体器件芯片等，开发了一种使用包含树脂的复合基板的FOPLP(Fan Out Panel Level Package：扇出型面板级封装)技术。

作为FOPLP技术采用多种方法。作为FOPLP技术的主要工序，首先，将完成的半导体器件晶片分割为半导体器件芯片。之后，将该分割的半导体器件芯片排列在大型树脂基板上。接着，在该排列有半导体器件芯片的树脂基板上形成有模制树脂。由此，半导体器件芯片被埋入所形成的模型内。然后，除去不需要的模制树脂，露出半导体器件芯片。然后，进行再次布线等。之后，在模制树脂部分分割半导体器件芯片。其结果是，完成了封装在模制树脂中的半导体器件芯片。

作为半导体器件芯片的封装方法，除了上述扇出方法以外，还具有扇入的方法。扇入方法在半导体器件芯片内形成全部电极。因此，电极的数量受到限制。

与此相对，在扇出方法中，在形成于半导体器件芯片的外部的树脂部分也能够形成电极。因此，扇出方法与扇入方法相比具有能够使电极的数量大宽度增加的优点。因此，逐渐成为用于对MPU(Microprocessor Unit：微处理器单元)和逻辑器件等的用于I/O的部件个数多的器件进行封装的主要的封装技术。

在FOPLP技术中，需要进行模制树脂加工。此外，有时在封装的同时也对Si或Cu的电极进行加工。作为这种FOPLP的加工方法，使用利用金刚石车刀的飞刀的方法(例如日本专利公开公报特开2015-139829号、日本专利公开公报特开2017-112226号)。该飞刀方法用于加工的成本高。此外，为了得到高平坦度而需要较长时间。此外，存在难以管理基板的厚度的课题。

如日本专利公开公报特开2014-28425号和日本专利公开公报特开2015-32679号所示，开发了一种能够全部解决飞刀的问题的磨削技术。并且，能够应用于晶片级的封装磨削和TSV(Through Silicon Via：硅穿孔)磨削。

发明内容

本发明提供一种包含树脂的复合基板的磨削方法，对将半导体器件芯片或电极中的至少一方埋入树脂基板而形成的复合基板的表面进行磨削，其中，所述磨削复合基板的表面的方法包括：使对所述复合基板的表面进行磨削的磨削部件的至少一部分与所述表面接触的工序；向所述复合基板的表面与所述磨削部件的接触部分或非接触部分中的至少一方供给水的工序；以及在所述供给水的工序的同时，对所述复合基板的所述表面进行磨削的磨削加工工序。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的包含树脂的复合基板的磨削装置的简要结构的图。

图2是表示本发明的实施方式的包含树脂的复合基板的磨削装置的简要结构的俯视图。此外，图2是表示用于供给高压水的高压水供给喷嘴的配置的一例的图。

图3是表示本发明的实施方式的包含树脂的复合基板的磨削装置的高压水供给喷嘴的附近的图。此外，图3是示意性地表示喷出高压水的高压水喷出口的位置的图。