[发明专利]达芬奇测试插座的插销底板防阳极氧化变形工艺在审
申请号: | 201911278593.7 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111276859A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 游利;管明月 | 申请(专利权)人: | 靖江先锋半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01R43/00 | 分类号: | H01R43/00;H01R43/16;C25D11/12 |
代理公司: | 靖江市靖泰专利事务所(普通合伙) 32219 | 代理人: | 陆平 |
地址: | 214500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 达芬奇 测试 插座 插销 底板 阳极 氧化 变形 工艺 | ||
1.达芬奇测试插座的插销底板防阳极氧化变形工艺,其特征在于:包括以下操作步骤:步骤一,首次阳极氧化前在插销底板预留余量:下料的长宽尺寸在插销底板最大外形的基础上增加30-40mm,厚度增加1-2mm;步骤二,对插销底板进行阳极氧化处理:插销底板接正极,氧化槽内的液体接负极,通电90-120分钟,使其表面生成一层厚度为40μm-60μm的氧化铝膜层;同时保护定位的销孔、基准孔,确保孔内不生成氧化铝膜层;步骤三,切除插销底板预留的余量:切除预留的材料,加工出产品的外形轮廓;同时加工出需要导电的孔;步骤四,保护插销底板上除外形以外的区域:使用耐高温、耐酸腐蚀的胶带把产品外轮廓边以外的所有区域保护起来;步骤五,进行二次阳极氧化处理:采用首次阳极氧化处理的方法,在插销底板的外形轮廓上生成40μm-60μm的氧化铝膜层。
2.根据权利要求1所述的达芬奇测试插座的插销底板防阳极氧化变形工艺,其特征在于:所述的加强边框的外框和内框均设置为矩形,其中内框设置有四个倒圆角。
3.根据权利要求1所述的达芬奇测试插座的插销底板防阳极氧化变形工艺,其特征在于:所述的插销底板在切除余量前设置好轮廓线,加工时,各个凹槽加工至轮廓线即可。
4.根据权利要求1所述的达芬奇测试插座的插销底板防阳极氧化变形工艺,其特征在于:所述的轮廓线的深度与厚度方向的余量相等。
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