[发明专利]转移微型元件的方法在审
| 申请号: | 201911275287.8 | 申请日: | 2019-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN112216643A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
| 发明(设计)人: | 陈立宜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
| 地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 转移 微型 元件 方法 | ||
1.一种转移微型元件的方法,其特征在于,包含:
准备转移板,所述转移板具有微型元件于其上,其中所述微型元件接触所述转移板的拾取表面;
形成包含所述微型元件、接收基板的接触垫和位于所述微型元件和所述接触垫之间的一些水的结构,所述水的两个相反的表面分别接触所述微型元件和所述接触垫的贴附表面,其中所述接触垫面对所述转移板的所述贴附表面的亲水性大于所述转移板面对所述接收基板的所述拾取表面的亲水性;以及
蒸发所述水,使得所述微型元件贴附至所述接触垫并与所述接触垫接触。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述结构包含:
形成所述水在所述微型元件和所述接触垫当中的至少一者上;以及
放置所述微型元件至所述接收基板的上方,使得所述水位于所述微型元件和所述接收基板的所述接触垫之间。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,形成所述水包含:
喷洒蒸气至所述微型元件和所述接触垫的至少一者上,使得至少一部分的蒸气凝结以形成水。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述蒸气的水蒸气压高于环境水蒸气压。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述蒸气主要包含氮和水。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述水是于温度约在露点时形成的。
7.如权利要求2所述的方法,其特征在于,形成所述水包含:
在包含蒸气的环境中降低所述转移板的温度,使得至少一部分的所述蒸气凝结以形成所述水。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更包含:
施加外部压力以在蒸发所述水的期间压紧所述微型元件和所述接触垫。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更包含:
在蒸发所述水之前将所述微型元件从所述转移板脱离,所述微型元件黏附固定至所述接收基板。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,更包含:
降低所述接收基板的温度,使得在所述微型元件脱离所述转移板之前冻住所述水。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更包含:
在蒸发所述水之后将所述微型元件从所述转移板脱离,所述微型元件黏附固定至所述接收基板。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,更包含:
加热所述微型元件和所述接收基板的组合以在所述微型元件脱离所述转移板之前产生黏合力将所述微型元件和所述接触垫黏合在一起。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微型元件的侧向长度小于或等于约100微米。
14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微型元件包含电极于其上,且所述微型元件经由所述电极贴附并与所述接触垫接触,所述电极和所述接触垫之间的接触面积小于或等于约1平方毫米。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,更包含:
在蒸发所述水后升高所述接触垫的温度至高于所述水的沸点和低于所述接触垫和所述电极之间的共晶点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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