[发明专利]液体供应组件以及晶圆处理系统

说明书

本发明提供了一种液体供应组件。液体供应组件包括接收部分、分散部分和两个流量控制器。所述两个流量控制器连接在接收部分和分散部分之间。分散部分上形成了多个穿孔。

技术领域

本发明涉及一种晶圆处理系统，尤其涉及一种控制蚀刻剂在蚀刻槽中的分散的晶圆处理系统。

背景技术

在半导体晶圆蚀刻中，蚀刻速率定义为每单位时间在晶圆上的蚀刻深度，蚀刻均匀性指示晶圆上蚀刻速率的变化。对于湿蚀刻，晶圆浸泡在充满蚀刻剂的蚀刻槽中；湿蚀刻的蚀刻均匀性可能受到温度、浓度和蚀刻剂的其他因素的影响。较差的蚀刻均匀性将对所得晶圆的质量产生负面影响。

发明内容

以下呈现本发明实施例的概述，以便提供对本发明至少一些例子的基本理解。该概述不是本发明内容的广泛概述。其目的不是为了识别本公开的关键或关键要素，也不是为了描绘本公开的范围。以下概述仅以一般形式呈现本公开的一些概念，作为以下提供的更详细描述的序言。

在一个示例中，液体供应组件包括接收部分、分散部分和两个流量控制器。所述两个流量控制器连接在接收部分和分散部分之间。分散部分上形成了多个穿孔。

在另一示例中，晶圆处理系统包括晶圆处理容器和液体供应组件。液体供应组件被配置为将液体分散在晶圆处理容器中。液体供应组件包括接收部分、分散部分和两个流量控制器。所述两个流量控制器连接在接收部分和分散部分之间。分散部分上形成了多个穿孔。

在另一个示例中，提供了一种用于在晶圆处理容器中供应液体的方法。该方法包括步骤：提供包括接收部分、分散部分和两个流量控制器的液体供应组件，其中在分散部分上形成多个穿孔；以及对两个流量控制器执行操作。

在下面的附图和描述中阐述一个或多个示例的细节。

附图说明

附图说明了本公开的一个或多个实施例，并且与书面描述一起解释了本发明的原理。在可能的情况下，贯穿附图使用相同的附图标记来指定实施例的相同或相似的元件。

图1是根据本发明的一实施例的液体供应组件的俯视图。

图2是具有图1中的液体供应组件的晶圆处理系统的侧视图。

图3是根据本发明的一实施例的具有以第一模式操作的液体供应组件的晶圆处理系统的俯视图。

图4是根据本发明的一实施例的具有以第二模式操作的液体供应组件的晶圆处理系统的俯视图。

图5是根据本发明的一实施例的具有以第一模式操作的一对液体供应设备的晶圆处理系统的俯视图。

图6是根据本发明的实施例的具有以第二模式操作的一对液体供应设备的晶圆处理系统的俯视图。

具体实施方式

为了便于理解本发明的各种实施例的原理和特征，下面解释各种说明性实施例。虽然详细说明了本发明的示例性实施例，但是应当理解，还可以考虑其他实施例。因此，本发明并不意在其范围限于在以下描述中阐述或在附图中说明的组件的排列和构造的细节。本发明能够使用其他实施例，并且能够以各种方式进行实践或实现。

图1示出了本发明的一实施例的液体供应组件100的俯视图。液体供应组件100包括接收部分111、分散部分112、第一流量控制器141、第二流量控制器142和喷嘴130。分散部分112可以是一根管子或一个筒。液体供应组件100的整体形状可以是矩形、圆形、椭圆形或八角形。第一流量控制器141和第二流量控制器142中的每一个都包含一个阀。接收部分111被配置为连接到第一流控制器141和第二流控制器142的端口。接收部分112被配置为连接到第一流控制器141和第二流控制器142的端口。换句话说，接收部分111和分散部分112由第一流控制器141和第二流控制器142分开。