[发明专利]包括散热构件的沉积设备在审
| 申请号: | 201911270236.6 | 申请日: | 2019-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN111304636A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
| 发明(设计)人: | 朴钟镐;潘淑焕;宋鎭伍;兪炯硕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;陈亚男 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 散热 构件 沉积 设备 | ||
提供了一种包括散热构件的沉积设备。所述沉积设备包括:腔室;沉积源;以及工作台,设置在腔室中,在工作台上安装有目标物体。沉积设备还包括:第一板,结合到腔室;以及第二板,设置在第一板与工作台之间,其中,第二板包括多个扩散孔。沉积设备还包括:散热构件,与第一板和第二板接触,其中,散热构件包括多个侧壁部,其中,多个侧壁部彼此连接。沉积设备还包括:垫片,结合到多个侧壁部的第一侧壁部,并且设置在第一板与第二板之间,其中,垫片平行于第一侧壁部而延伸。
本专利申请要求于2018年12月12日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0160248号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种沉积设备,并且更具体地,涉及一种包括散热构件的沉积设备。
背景技术
因为玻璃基板或塑料基板是透明的并且被制造为具有比硅基基板的表面积大的表面积,所以玻璃基板或塑料基板被广泛地用于制造显示装置。由于玻璃基板和塑料基板的转变温度低,因此应该在约200℃至约300℃的低温下执行膜沉积工艺,以防止基板变形。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术即使在相对低的温度下也可被用于在大区域上沉积半导体和介电膜,因此,PECVD技术被广泛用于显示装置、太阳能电池等。在PECVD技术中,可基于电场而不是基于热量来供应用于分离沉积源的能量,因此,可将基板维持在相对低的温度。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例,一种沉积设备包括:腔室;沉积源,包括沉积材料;工作台,设置在腔室中,在工作台上安装有目标物体;第一板,结合到腔室以限定空间;第二板,设置在第一板与工作台之间,其中,第二板包括设置在第二板中的多个扩散孔;散热构件,与第一板和第二板接触,其中,散热构件包括多个侧壁部,其中,多个侧壁部彼此连接以形成包围第一板和第二板的外侧表面的框架形状;以及垫片,结合到多个侧壁部的第一侧壁部,并且设置在第一板与第二板之间,其中,垫片平行于第一侧壁部而延伸。垫片的延伸长度比第一侧壁部的延伸长度短。
在本发明构思的示例性实施例中,垫片设置在第一侧壁部的中心区域中。
在本发明构思的示例性实施例中,垫片与第一板和第二板直接接触。
在本发明构思的示例性实施例中,第二板包括第一侧边和第二侧边,第一侧边彼此面对并在第一方向上延伸,第二侧边彼此面对并在与第一方向交叉的第二方向上延伸,其中,垫片是多个垫片。多个垫片包括第一垫片和第二垫片,其中,第一垫片沿第一侧边延伸并彼此面对,第二垫片沿第二侧边延伸并彼此面对。每个第二垫片的延伸长度比每个第一垫片的延伸长度短。
在本发明构思的示例性实施例中,每个第一垫片的延伸长度与第二板的第一侧边的长度的比率在约60%至约70%的范围内。
在本发明构思的示例性实施例中,每个第二垫片的延伸长度与第二板的第二侧边的长度的比率在约20%至约30%的范围内。
在本发明构思的示例性实施例中,第二板包括:扩散部,包括多个扩散孔;以及外围部,包围扩散部,其中,垫片设置在外围部上。
在本发明构思的示例性实施例中,散热构件还包括多个底部,其中,多个底部中的每个从每个侧壁部的底端弯曲并且设置在第二板下方,并且每个侧壁部包括:第一部分,包括连接到第一板的内侧表面;第二部分,结合到第一部分的底端,并且包括结合到垫片的内侧表面;以及第三部分,将第二部分的底端连接到散热构件的底部,其中,第三部分的内侧表面连接到第二板。
在本发明构思的示例性实施例中,垫片包括金属材料。
在本发明构思的示例性实施例中,垫片包括与散热构件的材料基本相同的材料。
在本发明构思的示例性实施例中,第二板和散热构件是单个物体。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





