[发明专利]一种介质谐振器弱负耦合结构及其应用

权利要求书

1.一种介质谐振器弱负耦合结构，其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，其特征在于：所述耦合结构包括隔槽、负耦合阶梯孔槽，所述隔槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述隔槽自所述连接处的一侧伸入，沿着所述介质谐振器之间的中心连线的垂直方向延伸至所述连接处的另一侧，且与所述连接处另一侧侧壁之间留有间距，所述负耦合阶梯孔槽设置于所述隔槽与所述连接处另一侧侧壁之间，所述负耦合阶梯孔槽自所述连接处上表面向下延伸，且与所述连接处底面之间留有间距。

2.根据权利要求1所述的一种介质谐振器弱负耦合结构，其特征在于：所述隔槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的0％-50％，所述隔槽自所述连接处上表面贯通至所述连接处底面。

3.根据权利要求1所述的一种介质谐振器弱负耦合结构，其特征在于：所述介质谐振器的材质为陶瓷介质材料或高分子材料；所述介质谐振器的形状为圆形或是多边形块。

4.根据权利要求1所述的一种介质谐振器弱负耦合结构，其特征在于：在每个所述介质谐振器表面中心均设有谐振盲孔槽，所述谐振盲孔槽的深度小于所述隔槽的深度。

5.根据权利要求4所述的一种介质谐振器弱负耦合结构，其特征在于：所述负耦合阶梯孔槽的槽深大于所述谐振盲孔槽的深度，所述负耦合阶梯孔槽分为负耦合阶梯上孔槽、负耦合阶梯下孔槽，所述负耦合阶梯上孔槽的直径大于所述负耦合阶梯下孔槽的直径，所述负耦合阶梯上孔槽的槽深深度大于所述负耦合阶梯下孔槽的槽深深度。

6.根据权利要求5所述的一种介质谐振器弱负耦合结构，其特征在于：所述负耦合阶梯孔槽的深度为所述介质谐振器之间所述连接处高度的50％-90％，所述负耦合阶梯下孔槽底面与所述连接处底面之间的间距距离至少为0.5mm。

7.根据权利要求4所述的一种介质谐振器弱负耦合结构，其特征在于：所述介质谐振器、谐振盲孔槽、隔槽及负耦合阶梯孔槽表面均覆有导电层。

8.一种介质谐振器弱负耦合结构的应用，其特征在于：权利要求1～7任一所述的介质谐振器弱负耦合结构应用于介质滤波器上。