[发明专利]一种介质谐振器弱负耦合结构及其应用

说明书

本发明提供了一种介质谐振器弱负耦合结构及其应用，其可有效解决负耦合的问题，并可避免谐振峰的影响，且减弱寄生耦合，具有更加对称的频率响应特性；其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，所述耦合结构包括隔槽、负耦合阶梯孔槽，所述隔槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述隔槽自所述连接处的一侧伸入，沿着所述介质谐振器之间的中心连线的垂直方向延伸至所述连接处的另一侧，且与所述连接处另一侧侧壁之间留有间距，所述负耦合阶梯孔槽设置于所述隔槽与所述连接处另一侧侧壁之间，所述负耦合阶梯孔槽自所述连接处上表面向下延伸，且与所述连接处底面之间留有间距。

技术领域

本发明涉及通信设备组件技术领域，具体涉及一种介质谐振器弱负耦合结构及其应用。

背景技术

随着移动通信技术的发展，小型化、集成化成为通信设备的发展趋势，其中，介质波导滤波器以介质谐振器为基础，通过谐振器之间的耦合实现滤波性能，其相比传统的金属腔体滤波器具有体积小、插损低、成本低、易集成化等优势，而为了实现越来越严格的性能要求，如要具有陡峭的过渡带和较低的插入损耗，通常需要谐振器之间具有负耦合，传统的金属腔体滤波器是在谐振器之间的空气腔中设置不接地的容性探针实现，而介质波导滤波器内填充的是陶瓷介质材料，难以将容性探针嵌入到介质滤波器内，则目前介质波导谐振器之间的负耦合方式主要是在谐振器之间设置盲孔实现，如公开号为CN104604022A的发明专利公开的一种介质滤波器，如图1所示，其在介质谐振器上包括至少一个负耦合盲孔9，负耦合盲孔9位于介质谐振器1、介质谐振器2连接位置的本体表面，该结构要求负耦合盲孔深度较深，因此负耦合盲孔底部距离谐振器底面很近，从而形成强电容效应实现负耦合；但是也由于负耦合盲孔深度较深，孔身形成了电感效应，而孔底又形成了电容效应，从而形成了类似串联谐振电路的谐振效应，会在滤波器滤波曲线上形成谐振峰而导致滤波器的抑制性能无法满足特定频段的要求，一般地，谐振峰在频域上的位置是由负耦合盲孔的深度决定，深度越深频率越低，反之越高，而负耦合盲孔的深度又根据客户指标设计的耦合量决定，也就是说一旦客户指标确定，则负耦合盲孔的深度也就确定了，由负耦合盲孔引起的谐振峰在频域上的位置也就无法调整，也就会导致谐振峰落在具有较高抑制要求的频段内时，该负耦合结构无法满足滤波器性能要求；另外，由于负耦合盲孔轴向横截面较小，而谐振器之间的连接区域较大，则其他介质谐振器很容易通过此连接区域产生寄生耦合，从而导致结构对称的介质滤波器频率响应特性一边高一边低，也就无法得到需要的对称特性。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种介质谐振器弱负耦合结构及其应用，其可有效解决负耦合的问题，并可避免谐振峰的影响，且减弱寄生耦合，具有更加对称的频率响应特性。

其技术方案是这样的：一种介质谐振器弱负耦合结构，其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，其特征在于：所述耦合结构包括隔槽、负耦合阶梯孔槽，所述隔槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述隔槽自所述连接处的一侧伸入，沿着所述介质谐振器之间的中心连线的垂直方向延伸至所述连接处的另一侧，且与所述连接处另一侧侧壁之间留有间距，所述负耦合阶梯孔槽设置于所述隔槽与所述连接处另一侧侧壁之间，所述负耦合阶梯孔槽自所述连接处上表面向下延伸，且与所述连接处底面之间留有间距。

其进一步特征在于：

所述隔槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的0％-50％，所述隔槽自所述连接处上表面贯通至所述连接处底面；

所述介质谐振器的材质为陶瓷介质材料或高分子材料；所述介质谐振器的形状为圆形或是多边形块；

在每个所述介质谐振器表面中心均设有谐振盲孔槽，所述谐振盲孔槽的深度小于所述隔槽的深度；

所述负耦合阶梯孔槽的槽深大于所述谐振盲孔槽的深度，所述负耦合阶梯孔槽分为负耦合阶梯上孔槽、负耦合阶梯下孔槽，所述负耦合阶梯上孔槽的直径大于所述负耦合阶梯下孔槽的直径，所述负耦合阶梯上孔槽的槽深深度大于所述负耦合阶梯下孔槽的槽深深度；