[发明专利]一种致密偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201911266838.4 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111087243A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 周志勇;李玉臣;董显林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/497 | 分类号： | C04B35/497;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;牛彦存 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 致密 偏铌酸铅 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种致密偏铌酸铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述偏铌酸铅压电陶瓷材料的化学组成为Pb1-xNb2O6，其中，x表示钨青铜型晶体结构中A位Pb的缺位浓度，0.00＜x≤0.20。
2.根据权利要求1所述的偏铌酸铅压电陶瓷材料，其特征在于，0.03≤x≤0.20。
3.根据权利要求1或2所述的偏铌酸铅压电陶瓷材料，其特征在于，0.08≤x≤0.20。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的偏铌酸铅压电陶瓷材料，其特征在于，0.15≤x≤0.20。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的偏铌酸铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述偏铌酸铅压电陶瓷材料的相对密度为93～99%，收缩率是15-18%，居里温度为554-560℃。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的偏铌酸铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述偏铌酸铅压电陶瓷材料的居里温度为554-560℃，介电损耗tanδ为0.55-0.63%。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的致密偏铌酸铅压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）按照化学通式Pb1-xNb2O6分别称取各元素的前驱体混合物，混合均匀；
（2）将所得混合物于800～900℃预烧1～3h，反应形成预烧粉末；
（3）将所得预烧粉末于1260～1300℃烧结2～4h，得到偏铌酸铅压电陶瓷材料。
8.根据权利要求7所述的偏铌酸铅压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为1260～1280℃。
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