[发明专利]一种TFT阵列基板和显示面板

说明书

本申请公开了一种TFT阵列基板和显示面板，TFT阵列基板包括有源层和设置在所述有源层上的源漏电极；所述有源层包括电极覆盖区、沟道区以及围绕所述电极覆盖区和所述沟道区设置的第一外围区；所述源漏电极对应所述电极覆盖区设置；位于所述第一外围区的所述有源层呈多段式分布。本申请可以有效的改善TFT阵列基板中的薄膜晶体管的光生漏电流的问题。

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板和显示面板。

背景技术

通常，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)被用作显示面板的驱动元件。薄膜晶体管中的有源层受到光照射后会产生光生载流子，导致薄膜晶体管的漏电流增加，从而影响显示面板的显示画面的质量，例如会产生串扰、残像等现象。

含有薄膜晶体管的阵列基板(Array)可以采用4Mask(光罩)工艺或5Mask工艺制作。5Mask工艺中，半导体层(有源层)和源漏电极分别采用不同的光罩制作形成，考虑到源漏电极与半导体层重叠时的对准良率，一般半导体层的图案较大，在半导体层上形成源漏电极后，图案较大的半导体层会在源极和漏极的外围形成环路，这部分半导体层受光照后会成为光生电流的部分通路，将加重漏电流的问题；4Mask工艺制中，半导体层和源漏电极采用同一道光罩搭配不同的步骤制作形成，与源漏电极同时形成的还有数据线等金属图案，该金属图案下层也有对应的半导体层，受工艺的影响，源漏电极和包括数据线在内的金属图案的侧边均存在裸露的半导体层，这些裸露的半导体层受光照后也会成为光生电流的部分通路。

因此，需要对阵列基板的结构做改进，以改善薄膜晶体管中的半导体层光生漏电流的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种TFT阵列基板和显示面板，可以改善薄膜晶体管中的半导体层光生漏电流的问题。

本申请实施例提供一种TFT阵列基板，包括有源层和设置在所述有源层上的源漏电极；所述有源层包括电极覆盖区、沟道区以及围绕所述电极覆盖区和所述沟道区设置的第一外围区；所述源漏电极对应所述电极覆盖区设置；

位于所述第一外围区的所述有源层呈多段式分布。

可选的，所述TFT阵列基板还包括位于所述有源层和所述源漏电极之间的掺杂层；所述掺杂层包括对应所述电极覆盖区设置的第一掺杂区，以及对应所述第一外围区设置的第二掺杂区；

位于所述第二掺杂区的所述掺杂层呈多段式分布。

可选的，所述TFT阵列基板还包括与所述源漏电极同层设置的金属走线；对应的，所述有源层还包括被所述金属走线覆盖的金属走线覆盖区，以及围绕所述金属走线覆盖区设置的第二外围区；

位于所述第二外围区的所述有源层呈多段式分布。

可选的，所述TFT阵列基板还包括位于所述有源层和所述源漏电极之间的掺杂层；所述掺杂层包括对应所述电极覆盖区和所述金属走线覆盖区设置的第三掺杂区，以及对应所述第一外围区和所述第二外围区设置的第四掺杂区；

位于所述第四掺杂区的所述掺杂层呈多段式分布。

可选的，所述金属走线包括与所述源漏电极中的源极电连接的数据线。

可选的，所述TFT阵列基板还包括设置在所述源漏电极和所述金属走线上的钝化层，以及位于所述钝化层上且与所述源漏电极中的漏极电连接的像素电极；

所述金属走线包括与所述源漏电极中的源极电连接且至少部分被所述像素电极覆盖的共享公共电极。

可选的，所述TFT阵列基板还包括对应所述共享公共电极设置的遮光层；所述遮光层位于所述有源层远离所述金属走线的一侧；