[发明专利]一种TFT阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括有源层和设置在所述有源层上的源漏电极；所述有源层包括电极覆盖区、沟道区以及围绕所述电极覆盖区和所述沟道区设置的第一外围区；所述源漏电极对应所述电极覆盖区设置；

位于所述第一外围区的所述有源层呈不连续的多段式分布。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括位于所述有源层和所述源漏电极之间的掺杂层；所述掺杂层包括对应所述电极覆盖区设置的第一掺杂区，以及对应所述第一外围区设置的第二掺杂区；

位于所述第二掺杂区的所述掺杂层呈不连续的多段式分布。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括与所述源漏电极同层设置的金属走线；对应的，所述有源层还包括被所述金属走线覆盖的金属走线覆盖区，以及围绕所述金属走线覆盖区设置的第二外围区；

位于所述第二外围区的所述有源层呈不连续的多段式分布。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括位于所述有源层和所述源漏电极之间的掺杂层；所述掺杂层包括对应所述电极覆盖区和所述金属走线覆盖区设置的第三掺杂区，以及对应所述第一外围区和所述第二外围区设置的第四掺杂区；

位于所述第四掺杂区的所述掺杂层呈不连续的多段式分布。

5.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述金属走线包括与所述源漏电极中的源极电连接的数据线。

6.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括设置在所述源漏电极和所述金属走线上的钝化层，以及位于所述钝化层上且与所述源漏电极中的漏极电连接的像素电极；

所述金属走线包括与所述源漏电极中的源极电连接且至少部分被所述像素电极覆盖的共享公共电极。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括对应所述共享公共电极设置的遮光层；所述遮光层位于所述有源层远离所述金属走线的一侧；

所述遮光层在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影完全覆盖位于所述金属走线覆盖区和所述第二外围区的所述有源层在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影。

8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的栅极和栅极绝缘层，所述有源层设置在所述栅极绝缘层上；

所述栅极在所述衬底基板上的正投影完全覆盖位于所述电极覆盖区和所述第一外围区的所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

9.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料包括非晶硅和铟镓锌氧化物中的任意一种。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述TFT阵列基板，以及与所述TFT阵列基板相对设置的对置基板。