[发明专利]一种TOPCon电池及其制作方法

说明书

本申请公开了TOPCon电池制作方法，包括获得正面具有扩散区域的硅衬底；在硅衬底的正面和侧面形成掩膜层；在硅衬底的背面形成氧化层；在氧化层背离硅衬底的表面形成掺杂型多晶硅层；去除位于正面的绕镀多晶硅；去除掩膜层；在硅衬底的正面形成第一钝化层；在掺杂型多晶硅层的背离氧化层的表面形成第二钝化层；在第一钝化层背离硅衬底的表面形成第一电极；在第二钝化层背离掺杂型多晶硅层的表面形成第二电极。该方法在形成氧化层之前在硅衬底的正面和侧面形成掩膜层，使得在形成掺杂型多晶硅层时掺杂原子不会扩散至正面和侧面，避免出现漏电现象，形成掩膜层的工艺简单，成本低且不会使电池效率降低。本申请还提供一种具有上述优点的电池。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种TOPCon电池及其制作方法。

背景技术

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化钝化接触)电池因具有转化效率高、在目前主流太阳能电池产线基础上直接升级就能实现量产的特点成为研究的热点。

TOPCon电池虽然可以大幅度提高太阳能电池的钝化效率，而且可以跨越式地降低钝化接触面的金属区饱和复合电流密度大小，但是因为钝化接触技术往往使用两次扩散技术，在电池四周出现漏电的现象。目前在制作TOPCon电池时，为了解决漏电问题，一种方式是采用离子注入法代替扩散，避免在电池边缘形成扩散成，进而避免漏电问题出现，但是离子注入方式成本高，且产能低，另一种方式是采用激光切割的方式在电池的正面或者背面的四边按环形图案进行切割，以避免正背面的电子空穴对复合，该种方式造成成本提高的同时，还会导致电池的效率下降，还有一种方式是采用边缘隔离的方式将边缘区域刻蚀掉，同样具有成本高的缺点。

因此，如何解决上述技术问题是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种TOPCon电池及其制作方法，以降低解决电池漏电问题的成本，且保证电池的效率不受影响。

为解决上述技术问题，本申请提供一种TOPCon电池制作方法，包括：

获得正面具有扩散区域的硅衬底；

在所述硅衬底的所述正面和侧面形成掩膜层；

在所述硅衬底的背面形成氧化层；

在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成掺杂型多晶硅层；

去除位于所述正面的绕镀多晶硅；

去除所述掩膜层；

在所述硅衬底的所述正面形成第一钝化层；

在所述掺杂型多晶硅层的背离所述氧化层的表面形成第二钝化层；

在所述第一钝化层背离所述硅衬底的表面形成第一电极；

在所述第二钝化层背离所述掺杂型多晶硅层的表面形成第二电极。

可选的，所述在所述硅衬底的所述正面和侧面形成掩膜层包括：

采用等离子增强化学气相沉积法、常压化学气相沉积法、低压化学气相沉积法中的任一种方法，在所述硅衬底的所述正面和所述侧面形成所述掩膜层。

可选的，在所述硅衬底的背面形成氧化层之后，还包括：

在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成本征多晶硅层；

相应的，在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成掺杂型多晶硅层包括：

在所述本征多晶硅层背离所述氧化层的表面形成掺杂型多晶硅层。

可选的，在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成本征多晶硅层包括：