[发明专利]一种TOPCon电池及其制作方法

权利要求书

1.一种TOPCon电池制作方法，其特征在于，包括：

获得正面具有扩散区域的硅衬底；

在所述硅衬底的所述正面和侧面形成掩膜层；

在所述硅衬底的背面形成氧化层；

在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成掺杂型多晶硅层；

去除位于所述正面的绕镀多晶硅；

去除所述掩膜层；

在所述硅衬底的所述正面形成第一钝化层；

在所述掺杂型多晶硅层的背离所述氧化层的表面形成第二钝化层；

在所述第一钝化层背离所述硅衬底的表面形成第一电极；

在所述第二钝化层背离所述掺杂型多晶硅层的表面形成第二电极。

2.如权利要求1所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，所述在所述硅衬底的所述正面和侧面形成掩膜层包括：

采用等离子增强化学气相沉积法、常压化学气相沉积法、低压化学气相沉积法中的任一种方法，在所述硅衬底的所述正面和所述侧面形成所述掩膜层。

3.如权利要求1所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，在所述硅衬底的背面形成氧化层之后，还包括：

在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成本征多晶硅层；

相应的，在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成掺杂型多晶硅层包括：

在所述本征多晶硅层背离所述氧化层的表面形成掺杂型多晶硅层。

4.如权利要求3所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成本征多晶硅层包括：

采用低压力化学气相沉积法或者等离子体增强化学气相沉积法，在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成所述本征多晶硅层。

5.如权利要求1所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，获得正面具有扩散区域的硅衬底包括：

获得原始硅片；

对所述原始硅片的表面进行扩散处理，形成扩散区域；

刻蚀扩散后硅片的背面，得到所述硅衬底。

6.如权利要求5所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，在对所述原始硅片的表面进行扩散处理之前，还包括：

对所述原始硅片进行制绒；

相应的，对所述原始硅片的表面进行扩散处理包括：

对制绒后硅片的表面进行扩散处理。

7.如权利要求1所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，在所述硅衬底的背面形成氧化层包括：

采用高温热氧氧化法，在所述硅衬底的背面形成所述氧化层。

8.如权利要求1所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，在所述硅衬底的所述正面形成第一钝化层包括：

采用原子层沉积法，在所述硅衬底的所述正面形成所述第一钝化层。

9.如权利要求1所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成掺杂型多晶硅层包括：

在所述氧化层背离所述硅衬底的表面形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行扩散处理，形成所述掺杂型多晶硅层。

10.一种TOPCon电池，其特征在于，所述TOPCon电池由权利要求1至9任一项所述的TOPCon电池制作方法得到。