[发明专利]存储器电路和形成存储器电路的方法

说明书

本申请案涉及存储器电路和形成存储器电路的方法。形成存储器电路的方法包括使用数字线掩模以形成以下两者：(a)存储器阵列区域中的导电数字线，和(b)在所述存储器阵列区域外侧的外围电路区域中的导电通孔的下部部分。所述通孔的所述下部部分与所述通孔和所述数字线下方的电路电耦合。导电字线的对形成于所述存储器阵列区域中的所述数字线上方。所述字线的对从所述存储器阵列区域延伸到所述外围电路区域中。所述对中的个别者在所述通孔中的个别者的所述下部部分中的个别者正上方。形成所述个别通孔的个别上部部分。所述个别上部部分：(c)直接电耦合到所述个别通孔的所述个别下部部分中的一个，且(d)将个别对字线的在相应个别通孔的相应一个个别下部部分正上方的字线直接电耦合在一起。揭示了其它方法和不依赖于制造方法的结构。

技术领域

本文揭示的实施例涉及存储器电路和形成存储器电路的方法。

背景技术

存储器是一种集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，且存取线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。可通过数字线和存取线的组合对每个存储器单元进行唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短保留时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选状态保留或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个电平或信息状态。

电容器是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料分离的两个电导体。能量如电场可以静电方式存储在此类材料内。取决于绝缘体材料的组成，所述存储的场将是易失性的或非易失性的。举例来说，仅包含SiO₂的电容器绝缘体材料将是易失性的。一种类型的非易失性电容器是铁电电容器，所述铁电电容器具有铁电材料作为绝缘材料的至少部分。铁电材料的特征为具有两个稳定极化状态且由此可包括电容器和/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态可通过施加合适的编程电压来改变，且在移除编程电压之后保持住(至少持续一时间)。每个极化状态具有彼此不同的电荷存储电容，所述电荷存储电容理想地可用于对存储器状态写入(即，存储)和读取而不逆转极化状态直到期望进行此逆转为止。不太合意地，在具有铁电电容器的某个存储器中，读取存储器状态的行为可能会颠倒极化。因此，在确定极化状态后，进行对存储器单元的重写以紧接在其确定之后将存储器单元置于预读取状态中。无论如何，由于形成电容器的部分的铁电材料的双稳态特性，因此并入有铁电电容器的存储器单元理想地是非易失性的。其它可编程材料可用作电容器绝缘体以使电容器为非易失性的。

场效应晶体管是可用于存储器单元的另一类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区在其间具有半导电沟道区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与沟道区分离。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个区流动到另一个区。当从栅极移除电压时，大大地防止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆可编程电荷存储区。无论如何，栅极绝缘体都可为可编程的，例如是铁电的。

现有和未来开发的存储器单元可包括晶体管和电容器两者、有电容器且无晶体管、有晶体管且无电容器，或无电容器也无晶体管。

发明内容