[发明专利]存储器电路和形成存储器电路的方法

权利要求书

1.一种形成存储器电路的方法，其包括：

使用数字线掩模以形成以下两者：(a)存储器阵列区域中的导电数字线，和(b)在所述存储器阵列区域外侧的外围电路区域中的导电通孔的下部部分，所述通孔的所述下部部分与所述通孔和所述数字线下方的电路电耦合；

在所述存储器阵列区域中的所述数字线上方形成导电字线的对，所述字线的对从所述存储器阵列区域延伸到所述外围电路区域中，所述对中的个别者在所述通孔中的个别者的所述下部部分中的个别者正上方；以及

形成所述个别通孔的个别上部部分，所述个别上部部分：(c)直接电耦合到所述个别通孔的所述个别下部部分中的一个，且(d)将所述个别对字线的在相应个别通孔的相应一个个别下部部分正上方的所述字线直接电耦合在一起。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述个别通孔水平地纵向伸长。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述数字线相对于彼此平行地纵向伸长；

所述水平地纵向伸长的通孔相对于彼此平行；且

所述通孔和数字线相对于彼此纵向成角度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述通孔和数字线相对于彼此纵向成正交角度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述数字线掩模在所述存储器阵列区域和所述外围电路区域两者中的导电材料正上方，所述使用包括蚀刻所述存储器阵列区域和所述外围电路区域中未被所述数字线掩模覆盖的所述导电材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述存储器阵列区域和所述外围电路区域中的所述导电材料的所述蚀刻同时进行。

7.一种形成存储器电路的方法，其包括：

在导电材料上方形成掩模，所述掩模包括存储器阵列区域中的多个数字线轮廓和在所述存储器阵列区域外侧的外围电路区域中的导电通孔的下部部分的多个轮廓；

在蚀刻所述导电材料的未经掩蔽部分时使用所述掩模以形成包括所述存储器阵列区域中的所述导电材料的导电数字线且形成包括所述外围电路区域中的所述导电材料的导电通孔的下部部分；

在所述通孔中的个别者的所述下部部分中的个别者正上方形成竖直延伸的牺牲结构；

在所述存储器阵列区域中的所述数字线上方形成导电字线的对，所述字线的对从所述存储器阵列区域延伸到所述外围电路区域中，所述对中的个别者的所述字线抵靠所述牺牲结构中的个别者的相对侧；以及

用导体材料替换所述牺牲结构且在那里形成所述个别通孔的个别上部部分，所述个别上部部分：(a)直接电耦合到所述个别通孔的所述个别下部部分中的一个，且(b)将相应个别对字线的所述字线直接电耦合在一起。

8.根据权利要求7所述的方法，其中与形成所述数字线和所述通孔的所述下部部分在不同时间且使用另一掩模形成所述牺牲结构。

9.根据权利要求7所述的方法，其包括将所述个别牺牲结构和下方的相应个别通孔的所述下部部分形成为纵向共同延伸。

10.根据权利要求7所述的方法，其包括将所述个别牺牲结构和下方的相应个别通孔的所述下部部分形成为不横向共同延伸。

11.根据权利要求7所述的方法，其包括：

将所述个别牺牲结构和下方的相应个别通孔的所述下部部分形成为纵向共同延伸；以及

将所述个别牺牲结构和下方的相应个别通孔的所述下部部分形成为不横向共同延伸。

12.根据权利要求7所述的方法，其包括还使用所述掩模形成所述牺牲结构，所述使用包括在蚀刻所述导电材料的所述未经掩蔽部分之前蚀刻所述牺牲结构的材料。

13.根据权利要求7所述的方法，其包括将所述个别牺牲结构和下方的相应个别通孔的所述下部部分形成为横向共同延伸。