[发明专利]一种增加电感量的电感制程方法及电感结构

权利要求书

1.一种增加电感量的电感制程方法，其特征在于，包括以下步骤：

沉积氮化物于晶圆正面，形成正面氮化物层，蚀刻正面氮化物层并在被蚀刻部分制作正面金属层；

在晶圆背面涂布第一光阻层，并于待蚀刻孔洞处显影；

以第一光阻层为掩膜，蚀刻晶圆，至正面氮化物层，去除第一光阻层，并于晶圆背面进行溅镀金属；

涂布第二光阻层于晶圆背面，将待沉积金属中的第二光阻层显影去除，并沉积金属，于靠近正面氮化物层处形成第一接触端，于孔洞处形成第三接触端，并去除第二光阻层；

涂布第三光阻层于晶圆背面，将待沉积金属中的第三光阻层显影去除，并沉积金属，于靠近正面氮化物层处形成第二接触端，于孔洞处形成第四接触端，并去除第三光阻层；所述第一接触端与第二接触端形成断路形貌；

通过第一接触端和第二接触端的断路开口处蚀刻溅镀金属到正面氮化物层，晶圆背面的沉积金属与正面金属层连接形成电感结构；

“蚀刻正面氮化物层并在被蚀刻部分制作正面金属层”包括步骤：

在正面氮化物层上涂布第四光阻层，对准显影形成凹槽；

以第四光阻层为掩膜，蚀刻氮化物层，使所述第一接触端与第二接触端暴露于蚀刻槽底部；

沉积金属，完成正面导线布设；

所述孔洞为多个，多个孔洞为相互平行的两排，两排之间相邻的孔洞的第一接触端与第二接触端依次连接，两排之间相邻的孔洞的第三接触端与第三接触端连接以及第四接触端与第四接触端连接。

2.根据权利要求1所述的一种增加电感量的电感制程方法，其特征在于，所述氮化物为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的一种增加电感量的电感制程方法，其特征在于，在晶圆背面涂布第一光阻层之前还包括步骤：

对晶圆背面减薄。

4.一种增加Q值和电感量的电感结构，其特征在于，由权利要求1到3任意一项所述的一种增加电感量的电感制程方法制得。