[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本申请提供一种半导体器件及其制造方法。一种电容器包括：多个底部电极；电介质层，其形成在底部电极之上；以及顶部电极，其形成在电介质层之上，其中，顶部电极包括填充在底部电极之间的间隙的含碳材料和含锗材料。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月29日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0037085的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的各个实施例总体上涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括电容器的半导体器件以及一种用于制造该半导体器件的方法。

背景技术

为了制造高度集成的半导体器件，需要在有限面积内的具有足够电容的电容器。电容器的电容与电极的表面积和电介质材料的介电常数成正比，而与电介质材料的等效氧化物层的厚度成反比。用于增大在有限面积内的电容器的电容的方法可以包括通过形成三维结构的电容器来增大电极的表面积、减小电介质材料的等效氧化物层的厚度或使用高k材料。

发明内容

本发明的实施例涉及一种用于半导体器件的改进的电容器和制造该电容器的方法以及包括该电容器的半导体器件。该电容器可以呈现出改善的可靠性。

根据本发明的一个实施例，一种电容器包括：多个底部电极；电介质层，其形成在所述底部电极之上；以及顶部电极，其形成在所述电介质层之上，其中，所述顶部电极包括填充所述底部电极之间的间隙的含碳材料和含锗材料。

根据本发明的另一实施例，一种形成电容器的方法包括：形成多个底部电极；形成电介质层，所述电介质层形成在所述底部电极之上；在所述电介质层之上形成顶部电极，所述顶部电极包括填充所述底部电极之间的间隙的含碳材料和含锗材料。

通过以下结合附图对实施例的详细描述，将更好地理解本发明的这些特征和其他特征以及优点。

附图说明

图1是示出根据本发明的一实施例的半导体器件的截面图。

图2是示出根据本发明的另一实施例的半导体器件的截面图。

图3A至图3C是示出根据本发明的另一实施例的半导体器件的截面图。

图4A至图4I是示出根据本发明的一实施例的制造半导体器件的方法的截面图。

图5至图7是示出根据本发明的其他实施例的半导体器件的截面图。

具体实施方式

下面将参考附图更详细地描述本发明的各种实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使得本公开将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。贯穿本公开，在本发明的各个附图和实施例中，相同的附图标记指代相同的部分。注意，对“一实施例”、“另一实施例”等的引用不一定意味着仅一个实施例，并且对任何这样的短语的不同引用不一定针对相同的实施例。

附图不一定按比例绘制，并且在某些情况下，比例可能已被夸大以便清楚地示出实施例的特征。当第一层被称为在第二层“上”或在衬底“上”时，不仅指第一层直接形成在第二层或衬底上的情况，而且还指在第一层与第二层或衬底之间存在第三层的情况。

将理解，尽管在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面描述的第一元件也可以被称为第二元件或第三元件，而不脱离本发明的精神和范围。