[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器，包括：

多个底部电极；

电介质层，其形成在所述底部电极之上；以及

顶部电极，其形成在所述电介质层之上，

其中，所述顶部电极包括填充所述底部电极之间的间隙的含碳材料和含锗材料。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述含碳材料包括碳化硅。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述含锗材料包括锗硅。

4.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述顶部电极还包括在所述含锗材料之上的金属或含金属材料。

5.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电容器还包括包围所述底部电极的外壁的支撑件。

6.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述顶部电极包含所述含碳材料与所述含锗材料的合金。

7.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述顶部电极包括所述含碳材料与所述含锗材料的叠层。

8.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述含碳材料包括Si-C-Ge，并且所述含锗材料包括SiGe。

9.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述含锗材料包括掺杂硼的锗硅。

10.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述底部电极中的每个底部电极具有圆筒形状、柱形状或柱筒形状。

11.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电介质层包含基于氧化锆的材料或基于氧化铪的材料。

12.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述含碳材料和所述含锗材料完全填充所述底部电极之间的所述间隙。

13.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述含碳材料共形地形成在所述电介质层上，并且所述含锗材料完全填充所述含碳材料上的所述底部电极之间的所述间隙。

14.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述顶部电极还包括在所述含碳材料与所述电介质层之间的金属内衬。

15.一种形成电容器的方法，包括：

形成多个底部电极；

形成电介质层，所述电介质层形成在所述底部电极之上；以及

在所述电介质层之上形成顶部电极，所述顶部电极包括填充所述底部电极之间的间隙的含碳材料和含锗材料。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在形成所述顶部电极之后，在所述顶部电极之上形成含金属材料。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述顶部电极的步骤包括：

在所述电介质层之上形成所述含碳材料；以及

在所述含碳材料之上形成所述含锗材料。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述顶部电极的步骤包括：

在所述电介质层之上形成间隙填充材料，所述间隙填充材料包括所述含碳材料与所述含锗材料的合金。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述顶部电极的步骤包括：

在所述电介质层之上形成包含锗的含碳材料；以及

在所述包含锗的含碳材料之上形成含锗材料。

20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述含锗材料包括掺杂硼的锗硅。