[发明专利]零温度系数参考电压及电流源产生电路

权利要求书

1.一种零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述电路包括：

参考电压产生单元，用于产生零温度系数的参考电压V_BG，包括运放、MOS管M1、及与MOS管M1相连且并联设置的第一支路和第二支路，第一支路和第二支路分别包括若干NPN晶体管及电阻；

电流源产生单元，用于产生零温度系数的电流I_ZTC，包括与MOS管M1相连且串联设置的若干电阻单元，所述电流源产生单元包括一个或多个串联设置的电阻单元，每个电阻单元为多晶硅电阻；

第一电流复制单元，用于复制MOS管M1中的电流；

第二电流复制单元，与第一电流复制单元相连，用于复制第一支路和第二支路中的电流；

电流源输出单元，与第二电流复制单元并联且与第一电流复制单元相连，用于输出零温度系数的电流I_ZTC。

2.根据权利要求1所述的零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述MOS管M1的源极与电源电压V_DD相连，栅极与运放的输出端相连，漏极与第一支路、第二支路及电流源产生单元相连。

3.根据权利要求1所述的零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述参考电压产生单元中，第一支路包括串联设置于MOS管M1的漏极和地电位之间的电阻R1及第一NPN晶体管，第二支路包括串联设置于MOS管M1的漏极和地电位之间的电阻R2、R3及第二NPN晶体管，电阻R1和第一NPN晶体管之间的电压V_BE1及电阻R2和R3之间的电压V_BE2分别为运放的两个输入信号。

4.根据权利要求3所述的零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述第一NPN晶体管为一个或多个NPN晶体管Q1，第二NPN晶体管为多个NPN晶体管Q2，且NPN晶体管Q2的个数大于NPN晶体管Q1的个数。

5.根据权利要求1所述的零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述第一电流复制单元包括与MOS管M1共栅连接的MOS管M2，MOS管M1和M2构成电流镜，MOS管M2的源极与电源电压V_DD相连，漏极与第二电流复制单元和电流源输出单元相连。

6.根据权利要求1所述的零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述第二电流复制单元包括并联设置的第三NPN晶体管和第四NPN晶体管，第三NPN晶体管和第一NPN晶体管、第四NPN晶体管和第二NPN晶体管分别构成电流镜。

7.根据权利要求6所述的零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述第三NPN晶体管包括若干NPN晶体管Q3，第四NPN晶体管包括若干NPN晶体管Q4，且NPN晶体管Q3的个数等于NPN晶体管Q4的个数。

8.根据权利要求7所述的零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述电流源输出单元包括MOS管M3，MOS管M3的漏极与MOS管M2的漏极相连，源极与地电位相连，MOS管M3中的电流为零温度系数的电流I_ZTC。

9.根据权利要求8所述的零温度系数参考电压及电流源产生电路，其特征在于，所述电流源输出单元还包括与MOS管M3共栅连接的MOS管M4，MOS管M4和MOS管M3构成电流镜，以复制MOS管M3中零温度系数的电流I_ZTC并输出。