[发明专利]零温度系数参考电压及电流源产生电路

说明书

本发明揭示了一种零温度系数参考电压及电流源产生电路，所述电路包括：参考电压产生单元，用于产生零温度系数的参考电压V_BG，包括运放、MOS管M1、若干NPN晶体管及电阻；电流源产生单元，用于产生零温度系数的电流源I_ZTC，包括与MOS管M1相连且串联设置的若干电阻单元；第一电流复制单元，用于复制MOS管M1中的电流；第二电流复制单元，与第一电流复制单元相连，用于复制第一支路和第二支路中的电流；电流源输出单元，与第二电流复制单元并联且与第一电流复制单元相连，用于输出零温度系数的电流I_ZTC。本发明的电路只需一个运放即可产生零温度系数参考电压及电流源，且电路架构简单，减小了消耗面积，降低了整体电路的成本。

技术领域

本发明属于电路设计技术领域，具体涉及一种零温度系数参考电压及电流源产生电路。

背景技术

模拟电路应用中常需要一个能够不受电源电压以及温度变化影响的稳定参考电压，以提升整体电路的良率、可靠度及精确度，此电路称之为“带隙基准电路(BandgapReference Circuit)”，它提供一参考电压以利于监督电源或是其他电路的操作正确性等，是一应用极为广泛且重要的电路。另外，基于零温度系数的带隙参考电压电路能够进一步提供零温度系数的电流源。

现有技术中零温度系数参考电压及电流源产生电路参图1所示，其包括：

参考电压产生单元，包括运放A1、MOS管PM1、NPN晶体管Q1和Q2、电阻R1～R3，参考电压产生单元用于产生零温度系数的参考电压V_BG；

MOS管PM2，与MOS管PM1组成第一电流镜，用于复制MOS管PM1中的电流I_PTAT；

电流源产生单元，包括运放A2、MOS管PM3、电阻R4～R6，电流源产生单元用于产生零温度系数的电流源I_ZTC；

MOS管PM4，与MOS管PM3组成第二电流镜，用于复制MOS管PM3中的电流I_ZTC并输出。

本实施例中的运放A2将V_BG电压加到电阻串R4～R6之上，电阻R4～R6中的电流通过第二电流镜镜像输出，其中：

V_REF1＝V_BG*(R5+R6)/(R4+R5+R6)；

V_REF2＝V_BG*R6/(R4+R5+R6)；

I_ZTC＝V_BG/(R4+R5+R6)。

当电阻采用多晶硅电阻时，半导体工艺中多晶硅电阻的温度系数很小，所以电流I_ZTC接近零温度系数。

现有技术零温度系数参考电压及电流源产生电路中包括两个运放，运放会占用较大消耗面积，增加了整体电路的成本。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种零温度系数参考电压及电流源产生电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种零温度系数参考电压及电流源产生电路，以产生零温度系数参考电压及电流源。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：

一种零温度系数参考电压及电流源产生电路，所述电路包括：

参考电压产生单元，用于产生零温度系数的参考电压V_BG，包括运放、MOS管M1、及与MOS管M1相连且并联设置的第一支路和第二支路，第一支路和第二支路分别包括若干NPN晶体管及电阻；