[发明专利]太阳能电池组件的制备方法

说明书

本发明提供了一种太阳能电池组件的制备方法，其包括在玻璃基底上制备钼层；对所述钼层进行第一次刻划，形成P1，并且第1个子电池与(n/2)+1电池的钼层保持连接，第n/2个子电池与第n个子电池连接；在完成第一次刻划的钼层上依次制备铜铟镓硒层、硫化镉层和本征氧化锌层；在所述本征氧化锌层上进行第二次刻划，形成P2，所述P2与P1平行；在完成第二次刻划后的本征氧化锌层上制备掺铝氧化锌层；在所述掺铝氧化锌层上进行第三次刻划，形成P3，所述P3和P1、P2平行；进行第四次刻划，在第n/2子电池右侧沿P3刻划形成刻线M。本发明提供的太阳能电池组件可以降低铜铟镓硒电池组件的电压，有助于铜铟镓硒电池组件与现有的光伏逆变器匹配，降低电站BOS成本。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池组件的制备方法。

背景技术

当今全球光伏市场是以晶体硅太阳能电池为主，但高能耗的生产工艺导致能源资源的快速消耗将使社会无法承受，也必将制约着光伏产业更大规模的发展。因此，发展低成本、新型薄膜太阳能电池是未来国际光伏产业的必然趋势。CIGS(CuInxGa(1-x)Se2)薄膜太阳能电池，由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池，整个电池薄膜总厚度约3-4微米。该电池成本低、性能稳定、抗辐射能力强，其光电转换效率目前是各种薄膜太阳能电池之首，光谱响应范围宽，在阴雨天光强下输出功率高于其它任何种类太阳能电池，被称为下一代最有前途的太阳能电池之一。

目前国内外的CIGS的产业流程为溅射Mo层、激光刻划Mo(钼)层、形成CIGS吸收层、形成CdS(硫化镉)缓冲层、氧化锌层、机械刻划CIGS层、溅射掺铝氧化锌、机械刻划CIGS吸收层和透明导电(TCO)层、清边、封装及测试。其中，激光刻划Mo层、刻划CIGS层与硫化镉CdS和ZnO、刻划吸收层和透明导电层分别称为CIGS电池膜面的三道刻划工艺：P1、P2、P3。通过划线将电池板分成一个个串联的子电池。最后在两侧子电池敷设汇流条，将电流导出。

铜铟镓硒电池的特点是工作电压较高，在100V左右，电流较低(低于2A)，而市场主流的晶硅电池组件的电压较低，电流较大，市场主流逆变器的参数匹配晶硅电池组件，对于铜铟镓硒电池组件，会造成逆变器的浪费，增加电站成本。为了解决这个问题，降低铜铟镓硒电池组件电压，提高电流，适应目前主流逆变器的参数是一个解决方案。

发明内容

针对现有技术中存在的铜铟镓硒电池的电压、电流与市场主流逆变器的参数不匹配的问题，本发明提供了一种新的铜铟镓硒太阳能电池组件，其可以降低铜铟镓硒太阳能电池组件的电压，有助于铜铟镓硒太阳能电池组件与光伏逆变器匹配，降低电站BOS成本。

在第一方面，本发明提供了一种太阳能电池组件的制备方法，其包括：

步骤A：在玻璃基底上制备的钼层；

步骤B：对所述钼层进行第一次刻划，形成第一道刻线(P1)，并且第1个子电池与(n/2)+1电池的钼层保持连接，第n/2个子电池与第n个子电池连接，其中，n为子电池的总数，且n为偶数；

步骤C：在完成第一次刻划的钼层上依次制备铜铟镓硒层、硫化镉层和本征氧化锌层；

步骤D：在所述本征氧化锌层上进行第二次刻划，将本征氧化锌层、硫化镉层以及铜铟镓硒层同时刻断，露出钼层，形成第二道刻线(P2)，所述第二道刻线(P2)与第一道刻线(P1)保持平行；

步骤E：在完成第二次刻划后的本征氧化锌层上制备掺铝氧化锌层；

步骤F：在所述掺铝氧化锌层上进行第三次刻划，将掺铝氧化锌层、本征氧化锌层、硫化镉层以及铜铟镓硒层同时刻断，露出钼层，形成第三道刻线(P3)，从而完成太阳能电池组件子电池的内联，所述第三道刻线(P3)和第一道刻线(P1)、第二道刻线(P2)保持平行；

步骤G：进行第四次刻划，在第n/2子电池右侧沿第三道刻线(P3)刻划形成刻线M。