[发明专利]太阳能电池组件的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池组件的制备方法，其包括：

步骤A：在玻璃基底上制备钼层；

步骤B：对所述钼层进行第一次刻划，形成第一道刻线(P1)，并且第1个子电池与(n/2)+1电池的钼层保持连接，第n/2个子电池与第n个子电池连接，其中，n为子电池的总数，且n为偶数；

步骤C：在完成第一次刻划的钼层上依次制备铜铟镓硒层、硫化镉层和本征氧化锌层；

步骤D：在所述本征氧化锌层上进行第二次刻划，将本征氧化锌层、硫化镉层以及铜铟镓硒层同时刻断，露出钼层，形成第二道刻线(P2)，所述第二道刻线(P2)与第一道刻线(P1)保持平行；

步骤E：在完成第二次刻划后的本征氧化锌层上制备掺铝氧化锌层；

步骤F：在所述掺铝氧化锌层上进行第三次刻划，将掺铝氧化锌层、本征氧化锌层、硫化镉层以及铜铟镓硒层同时刻断，露出钼层，形成第三道刻线(P3)，从而完成太阳能电池组件子电池的内联，所述第三道刻线(P3)和第一道刻线(P1)、第二道刻线(P2)保持平行；

步骤G：进行第四次刻划，在第n/2子电池右侧沿第三道刻线(P3)刻划形成刻线M。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在步骤B中，还对钼层进行清边处理，和/或

在步骤G中，还对第三次刻划之后的太阳能电池组件进行清边处理，将电池区域外边缘的掺铝氧化锌层、本征氧化锌层、硫化镉层以及铜铟镓硒层同时清除，露出钼层。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一道刻线(P1)一直刻划到玻璃基底表面，使第一道刻线(P1)两侧的子电池完全绝缘；和/或

所述第二道刻线(P2)将本征氧化锌层、硫化镉层以及铜铟镓硒层完全刻断，露出钼层，并且不损伤钼层表面；和/或

所述第三道刻线(P3)将掺铝氧化锌层、本征氧化锌层、硫化镉层、以及铜铟镓硒层完全刻断，露出钼层，并且不损伤钼层表面。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一道刻线(P1)的宽度为50-200微米；和/或所述第二道刻线(P2)的宽度为50-200微米；和/或所述第三道刻线的宽度为50-200微米；和/或所述刻线M的宽度为50-200微米。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一道刻线(P1)与第二道刻线(P2)的间隔为100-500微米，所述第二道刻线(P2)与所述第三道刻线(P3)的间隔为100-500微米。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在步骤A中，所述钼层厚度为300纳米-1200纳米；和/或

在步骤C中，所述铜铟镓硒层厚度为1.0-3.0微米；所述硫化镉层厚度为30-80纳米；所述本征氧化锌膜层厚度为30-80纳米；和/或

在步骤E中，所述掺铝氧化锌膜层厚度为300-1000纳米。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一次刻划、第二次刻划和第三次刻划采用机械刻划或激光刻划。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一次刻划、第二次刻划和第三次刻划采用激光刻划。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一次刻划、第二次刻划和第三次刻划采用选自1064nm、532nm和355nm中的至少一种波长进行激光刻划。

10.一种根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法得到的太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池组件包括两个并联的子电池。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池组件为铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件。

12.一种根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法得到的太阳能电池组件或根据权利要求10或11所述的太阳能电池组件在光伏产业中的应用。