[发明专利]真空排气系统及其控制方法

说明书

一种真空排气系统，用于使半导体加工设备的腔室内维持真空状态，半导体加工设备包括至少一个腔室，真空排气系统包括至少一条排气管路及设于排气管路上的排气泵与开关阀，每条排气管路与一个腔室连通，真空排气系统还包括备用管路、控制机构、设于备用管路上的备用泵及备用开关阀，备用管路与腔室连通，控制机构与开关阀、备用开关阀分别通信连接，控制机构控制开关阀在排气泵的电流大于预设值时关闭开关阀并打开备用开关阀。本发明有利于防止系统烧坏且避免在所述排气泵不能或不适合工作时无法维持所述腔室的真空状态的情况，保证了加工的良率。本发明还提出一种真空排气系统控制方法。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是一种真空排气系统及其控制方法。

背景技术

如图1所示，半导体加工设备200一般包括至少一个腔室210。腔室210可用于对晶圆(wafer)进行各种处理，包括但不限于刻蚀工艺、沉积工艺、离子注入及热处理等。其中，一些处理需要利用特定的处理气体，且腔室210内的气体环境时常需要处于真空状态。为了维持这种真空状态，必须连续运行与腔室210连通的真空排气装置1。

但是，在发生突发状况时，上述真空排气装置1会停止运行。腔室210与外部的压力差使得腔室210会逐渐脱离真空状态，即外部气体进入腔室210，从而导致晶圆和半导体加工设备200的污染。如果长时间未恢复真空状态，还可能造成真空排气装置1的损坏。

发明内容

鉴于上述状况，实有必要提供一种真空排气系统及其控制方法，以解决上述问题。

一种真空排气系统，用于使半导体加工设备的腔室内维持真空状态，所述半导体加工设备包括至少一个腔室，所述真空排气系统包括至少一条排气管路及设于所述排气管路上的排气泵与开关阀，每条所述排气管路与一个所述腔室连通，所述真空排气系统还包括备用管路、控制机构、设于所述备用管路上的备用泵及备用开关阀，所述备用管路与所述腔室连通，所述控制机构与所述开关阀、所述备用开关阀分别通信连接，所述控制机构控制所述开关阀在所述排气泵的电流大于预设值时关闭所述开关阀并打开所述备用开关阀。

进一步地，所述预设值为所述排气泵的电流临界值的40％～80％。

进一步地，所述真空排气系统还包括检测通过所述排气泵的电流的检测机构，所述检测机构与所述控制机构通信连接。

进一步地，所述真空排气系统还包括气压感测器，设于所述腔室内，所述气压感测器与所述控制机构通信连接并将所述腔室内的气压值发送至所述控制机构，当所述腔室内的气压高于预定值时所述控制机构增加所述排气泵的电流。

进一步地，所述排气管路及所述备用管路上还分别设有节流阀，与所述控制机构通信连接。

一种真空排气系统控制方法，用于控制上述的真空排气系统，所述方法包括以下步骤：检测排气泵的电流，当排气泵的电流大于预设值时关闭所述开关阀并打开备用开关阀。

进一步地，还包括检测所述腔室内的气压，当所述腔室内的气压高于预定值时增加所述排气泵的电流的步骤。

本发明监测所述排气泵的电流并控制所述备用开关阀在所述排气泵的电流大于预设值时开启，有利于防止系统烧坏且避免在所述排气泵不能或不适合工作时无法维持所述腔室的真空状态的情况，保证了加工的良率，避免所述腔室被外部气体污染。

附图说明

图1为传统的真空排气装置的立体示意图。

图2为本发明提供一实施例所示的真空排气系统的示意图。

图3为本发明提供的真空排气系统控制方法的流程图。

主要元件符号说明

真空排气系统 100