[发明专利]光掩膜板及其形成方法

说明书

该发明涉及一种光掩膜板及其形成方法，能够改善使用光掩膜板进行光刻时，转印的图形边界模糊、不精准的情况，提高光刻工艺的生产加工良率。所述光掩膜板具有图案区域，包括：基板；形成于所述基板上表面的相移层；形成于所述相移层上表面的第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层沿所述图案区域的边缘设置，所述第一光遮蔽层的透光率小于等于预设值；形成于所述第一光遮蔽层上表面的第二光遮蔽层。

技术领域

本发明涉及光掩膜板领域，具体涉及一种光掩膜板及其形成方法。

背景技术

在半导体装置的制作中，利用光刻技术来将图案转移至晶片，就会用到光掩膜板。所述光掩膜板由石英或者玻璃制成，在一侧表面沉积有一种或多种金属材料以防止透光。随着晶片的关键尺寸的减小，以及集成电路芯片中电路密度的增大，开发出了例如OPC(optical proximity correction，光学邻近效应校正)、OAI(off-axis illumination，离轴照明)、DDL(double dipole lithography，双重偶极光刻、以及PSM(Phase Shift Mask，相移掩模)等分辨率增强技术，以改善焦点深度，从而将图案能够更好的传递至晶片。

其中，PSM同时利用光线的强度和相位来成像，以得到更高分辨率。

现有技术中，采用PSM的方法进行光刻时，光掩膜板的结构如图1所示。PSM的基本原理主要是在掩模图形的相邻透光区引入180°(或其奇数倍)的位相差，或再辅之以透过率变化(衰减PSM)，以改变相邻图形衍射光束之间的干涉状态。通过相邻透光区光场的相消干涉，减小光场分布中暗区的光强、增大亮区的光场，以提高对比度、改善分辨力，或者用相邻图形的位相梯度，产生光场方向反转和零场区,以提高图形陡度、对比度和分辨力。由于亮区光场分布变陡，从而也改善了曝光量宽容度。

然而现有技术中，在利用PSM进行光掩膜板图形的转印时，总是会出现转印的图形边界模糊、不精准的问题，这将大大的影响光刻工艺过程中的生产加工良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光掩膜板及其形成方法，能够改善使用光掩膜板进行光刻时，转印的图形边界模糊、不精准的情况，提高光刻工艺的生产加工良率。

为了解决上述技术问题，以下提供了一种光掩膜板，具有图案区域，包括：基板；形成于所述基板上表面的相移层；形成于所述相移层上表面的第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层沿所述图案区域的边缘设置，所述第一光遮蔽层的透光率小于等于预设值；形成于所述第一光遮蔽层上表面的第二光遮蔽层。

可选的，所述相移层包括MoSiON层或MoSi层中的至少一种。

可选的，所述第一光遮蔽层包括透光率为0的MoSiON层或透光率为0的MoSi层中的至少一种。

可选的，所述第二光遮蔽层包括铬层或氧化铬层中的至少一种。

可选的，所述第二光遮蔽层在基板表面的投影被所述第一光遮蔽层在所述基板表面的投影覆盖。

可选的，所述第二光遮蔽层中形成有开口，所述开口将所述图案区域完全暴露，并且所述开口的边缘与所述图案区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm。

可选的，所述基板包括石英基板。

可选的，所述相移层的透光率为6％至18％。

可选的，所述相移层的厚度范围为50至100nm。

可选的，所述第一光遮蔽层的厚度范围为50至100nm。

可选的，所述第二光遮蔽层的厚度范围为30至60nm。