[发明专利]光掩膜板及其形成方法

权利要求书

1.一种光掩膜板，具有图案区域，其特征在于，包括：

基板；

形成于所述基板上表面的相移层；

形成于所述相移层上表面的第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层沿所述图案区域的边缘设置，所述第一光遮蔽层的透光率小于等于预设值；

形成于所述第一光遮蔽层上表面的第二光遮蔽层。

2.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移层包括MoSiON层或MoSi层中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第一光遮蔽层包括透光率为0的MoSiON层或透光率为0的MoSi层中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽层包括铬层或氧化铬层中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽层在基板表面的投影被所述第一光遮蔽层在所述基板表面的投影覆盖。

6.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽层中形成有开口，所述开口将所述图案区域完全暴露，并且所述开口的边缘与所述图案区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm。

7.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述基板包括石英基板。

8.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移层的透光率为6％至18％。

9.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移层的厚度范围为50至100nm。

10.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第一光遮蔽层的厚度范围为50至100nm。

11.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽层的厚度范围为30至60nm。

12.一种光掩膜板的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上表面形成相移层；

在所述相移层的上表面形成第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层的透光度小于等于预设值；

在所述第一光遮蔽层上表面形成第二光遮蔽层；

去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层，所述预设区域为所述光掩膜板的图案区域。

13.根据权利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，包括以下步骤：

在所述第二光遮蔽层上表面形成第一光阻层；

图形化所述第一光阻层，暴露出位于所述预设区域内的所述第二光遮蔽层的上表面；

沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀所述第二光遮蔽层暴露的区域，直至暴露出所述第一光遮蔽层的上表面；

沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀所述第一光遮蔽层外露于所述第二光遮蔽层的区域，直至暴露出所述相移层的上表面；

去除剩余的所述第一光阻层。

14.根据权利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，还包括以下步骤：

部分刻蚀外露的相移层，以部分暴露所述基板的上表面。

15.根据权利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，还包括以下步骤：

在所述第二光遮蔽层表面形成开口，所述开口的边缘与所述预设区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm，直至暴露所述第一光遮蔽层的上表面。

16.根据权利要求15所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，在所述第二光遮蔽层表面形成开口时，包括以下步骤：

在剩余的第一光遮蔽层之间，以及剩余的第二光遮蔽层之间填充第二光阻层，直至所述第二光阻层覆盖至所述第二光遮蔽层的上表面；

图形化所述第二光阻层，使所述第二光遮蔽层的上表面部分外露，所述第二光阻层形成的图案的边缘与预设区域的边缘有预设距离；

沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀外露于所述第二光阻层的所述第二光遮蔽层，直至暴露所述第一光遮蔽层的上表面。