[发明专利]基于金属-介质-金属的增强吸收的结构、装置及系统

说明书

本发明涉及一种基于金属‑介质‑金属的增强吸收的结构、装置及系统，具体而言，涉及光学结构领域。本申请的增强吸收的结构通过将嵌套部设置在金属基底上，并且该第一金属柱、介质层和第二金属柱之间形成了金属‑介质‑金属结构，金属‑介质‑金属结构在垂直于该嵌套部的方向上形成了复合式柱体结构，当光照射在该结构上时，该结构的嵌套部上形成了表面等离激元，使得该嵌套部的第一金属和第二金属表面的区域的自由电子和光子相互作用形成了的电磁振荡，使得光与该结构的耦合情况加强，进而使得照射到该结构上的光更易通过嵌套部传输到金属基底，从而提高该结构对光的吸收率。

技术领域

本发明涉及光学结构领域，具体而言，涉及一种基于金属- 介质-金属的增强吸收的结构、装置及系统。

背景技术

吸收率是指投射到物体上而被吸收的热辐射能与投射到物体上的总热辐射能之比称为该物体的吸收率，在光学领域中，光学器件的吸收率是表征光学器件的光学特性的重要指标。

传统的提高光学器件的吸收率的方法是在光学器件表面镀膜，当光线照射到光学器件表面的时候，光学薄膜和光学器件均对光线进行吸收，使得该光学器件对光线的吸收情况增加。

但是，一般在光学器件上镀膜，成本较高，难度较大，对光学器件的吸收率提高情况有限。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种基于金属-介质-金属的增强吸收的结构、装置及系统，以解决现有技术在光学器件上镀膜，成本较高，难度较大，对光学器件的吸收率提高情况有限。的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种基于金属-介质-金属的增强吸收的结构，结构包括：金属基底和嵌套部，嵌套部设置在金属基底上；

嵌套部包括第一金属柱、介质层和第二金属柱，且第一金属柱为实心结构，介质层和第二金属柱均为空心结构，介质层嵌套在第一金属柱外部，第二金属柱嵌套在介质层外部。

可选地，该结构包括石墨烯薄膜，石墨烯薄膜覆盖在金属基底远离嵌套部的一端。

可选地，该金属基底的材料为金。

可选地，该第一金属柱和第二金属柱的材料为金。

可选地，该介质层的材料为二氧化硅。

可选地，该金属基底的形状为正方体，且正方体的边长为 400纳米，高为50纳米。

可选地，该第一金属柱、介质层和第二金属柱的形状均为长方体。

可选地，该长方体的高度为500纳米，第一金属柱的边长为100纳米，介质层的边长为150纳米、第二金属柱的边长为 200纳米。

第二方面，本申请实施例提供了另一种基于金属-介质-金属的增强吸收的装置，装置包括多个第一方面任意一项的结构，多个结构通过金属基底固定连接。

第三方面，本申请实施例提供了又一种基于金属-介质-金属的增强吸收的系统，系统包括：光强检测装置和第二方面 的增强吸收的装置，光强检测装置与增强吸收的装置连接，用于检测增强吸收的装置对光的吸收率。

本发明的有益效果是：