[发明专利]KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统及使用方法在审
申请号: | 201911238917.4 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111515746A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 付鹏强;高松;王义文;张强;张飞虎 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | B23Q11/00 | 分类号: | B23Q11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | kdp 晶体 加工 吸气 系统 使用方法 | ||
本发明涉及一种KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统,该系统包括收集装置、吸嘴、管道和转接装置,收集装置由负压产生装置、PLC控制系统与切屑收集箱组成,负压产生装置在系统管路中产生负压,并作为系统负压来源,切屑收集箱收集并储存切屑;转接装置固定在机床顶部;连接在随动管道上吸嘴可以设有不同形状开口;管道分为随动管道与固定管道,随动管道随刀盘与电机转动用于连接吸嘴与转接装置,固定管道固定在机床上用于连接转接装置与收集装置;切屑粉末在负压的作用下沿管道及各装置进入收集装置中。本发明解决了KDP晶体切削中粉末飞溅及粉末对晶体划伤的问题,该系统结构简洁紧凑,操作便捷,排屑效果好。
技术领域
本发明涉及一种负压吸引装置,特别是涉及一种专用于KDP晶体飞切加工吸气式自排屑系统。
背景技术
随着各向异性大口径平面晶体元件在光学领域的广泛应用,对超精密加工技术提出了新的要求,目前已经研制出采用高刚度气体静压主轴和液体静压导轨的大口径KDP晶体单点金刚石飞切超精密加工机床,但在加工KDP晶体时会引起晶体粉末飞溅,甚至留在KDP晶体表面,再次加工走刀时残留在KDP晶体表面的切屑会划伤KDP晶体从而造成加工缺陷。故需要一种设备收集KDP晶体切削加工中产生的粉末状切屑并集中处理,提高KDP晶体表面加工质量。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统及使用方法,以解决现有技术中在加工KDP晶体时会引起晶体粉末飞溅,甚至留在KDP晶体表面,再次加工走刀时残留在KDP晶体表面的切屑会划伤KDP晶体从而造成加工缺陷的问题。
本发明实施例的第一方面提供了一种KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统,所述系统包括:收集装置、吸嘴、随动管道、转接装置和固定管道,所述收集装置1由负压产生装置、集屑收集装置与PLC控制系统组成,吸嘴设置在在铣刀侧面,吸嘴与随动管道连接,随动管道穿过铣床驱动机构中间孔与转接装置连接,转接装置通过固定管道与收集装置连接,固定管道固定在机床上,机床工作中, KDP晶体切屑粉末在负压的作用下,由吸嘴吸入,并经吸嘴、随动管道、转接装置、固定管道最后进入收集装置内。
进一步地,所述负压产生装置用于在系统管路中产生负压,并作为系统负压来源。
进一步地,所述PLC控制系统用于控制负压高低。
进一步地,所述转接装置固定在机床顶部。
进一步地,所述收集装置以吸气方式吸收KDP晶体。
本发明实施例的第二方面提供了一种KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统的使用方法的,具体步骤如下:
步骤一、将吸嘴与随动管道连接,随动管道穿过铣床驱动机构中间孔与转接装置连接,转接装置通过固定管道与收集装置连接;
步骤二、开启吸引收集装置;
步骤三、在负压作用下吸嘴产生吸力,在铣刀铣削晶体产生粉末时,粉末状切屑由吸嘴吸入,并经吸嘴、随动管道、转接装置、固定管道最后进入收集装置内;
步骤四、加工完毕后,关闭收集装置。
本发明实施例通过采用负压吸气方式将超精密飞切加工机床切削过程中产生的晶体切屑及时吸走,该系统结构简洁紧凑,操作便捷,排屑效果好。
附图说明
图1为本发明提供的KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统示意图。
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