[发明专利]KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统及使用方法在审
申请号: | 201911238917.4 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111515746A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 付鹏强;高松;王义文;张强;张飞虎 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | B23Q11/00 | 分类号: | B23Q11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | kdp 晶体 加工 吸气 系统 使用方法 | ||
1.一种KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统,其特征在于:所述系统包括:收集装置(1)、吸嘴(4)、随动管道(5)、转接装置(7)和固定管道(8),所述收集装置1由负压产生装置(1-1)、集屑收集装置(1-2)与PLC控制系统(1-3)组成,吸嘴(4)设置在在铣刀(3)侧面,吸嘴(4)与随动管道(5)连接,随动管道(5)穿过铣床驱动机构(6)中间孔与转接装置(7)连接,转接装置(7)通过固定管道(8)与收集装置(1)连接,固定管道(8)固定在机床上,机床工作中,KDP晶体切屑粉末在负压的作用下,由吸嘴(4)吸入,并经吸嘴(4)、随动管道(5)、转接装置(7)、固定管道(8)最后进入收集装置(1)内。
2.根据权利要求1所述的KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统,其特征在于:所述负压产生装置(1-1)用于在系统管路中产生负压,并作为系统负压来源。
3.根据权利要求1所述的KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统,其特征在于:所述PLC控制系统(1-3)用于控制负压高低。
4.根据权利要求1所述的KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统,其特征在于:所述转接装置(7)固定在机床顶部。
5.根据权利要求1所述的KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统,其特征在于:所述收集装置(1)以吸气方式吸收KDP晶体。
6.一种KDP晶体飞切加工的吸气式自排屑系统的使用方法,其特征在于:所述使用方法的步骤如下:
步骤一、将吸嘴(4)与随动管道(5)连接,随动管道穿过铣床驱动机构(6)中间孔与转接装置(7)连接,转接装置(7)通过固定管道(8)与收集装置(1)连接;
步骤二、开启吸引收集装置(1);
步骤三、在负压作用下吸嘴(2)产生吸力,在铣刀(3)铣削晶体产生粉末时,粉末状切屑由吸嘴(4)吸入,并经吸嘴(4)、随动管道(5)、转接装置(7)、固定管道(8)最后进入收集装置(1)内 ;
步骤四、加工完毕后,关闭收集装置(1)。
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