[发明专利]一种用于合成吸收光谱可调控的聚对二甲苯封装和防护涂层方法

权利要求书

1.一种吸收光谱可调控的聚对二甲苯合成制备方法，系一种用于集成电路芯片、电子器件、电路板或功能材料表面的吸收或透光光谱可调控的封装和防护涂层制作方法，包括产生和制作，其特征在于其具体的产生、制作过程包括：

a、制作者根据封装透光光谱需求，将具有红光、黄光以及蓝光等不同吸收光光谱系列的蒽醌类或偶氮类或酞菁类化合物按照不同比例混合,得到可产生不同吸光光谱特征的化合物前驱体混合粉末；

b、制作者将对二甲苯二聚体粉末放入涂层真空供料舱内,升温至120~150℃汽化；

c、将通过步骤a得到的产生可调控吸收光谱特征的化合物前物体混合粉末,在真空流化床供料舱内加热至150~300℃气化活化并与一定比例的载气氩气混合，成为可调控吸收光谱特征的掺杂化合物前驱体活性载气；

d、将通过步骤b得到的对二甲苯二聚体气体通入裂解管，升温至650℃裂解:

e、将集成电路芯片、电子器件、电路板或功能材料放在温度为40~100℃的真空室中真空除气、干燥净化后，打开真空紫外灯活化处理5~20分钟；

f、将步骤c得到的含可调控吸收光谱的混合化合物前驱体气体和通过步骤d得到的对二甲苯裂解活化气在200~300℃预混室中混合，通过喷淋管喷向真空室中的集成电路芯片、电子器件、电路板或功能材料产品的外表面；

g、可调控吸收光谱的活性对二甲苯二聚集体气体均匀吸附于由步骤e处理后的集成电路芯片、电子器件、电路板或功能材料外表面，并在表面发生自由基聚合反应，不断生长，形成厚度1～50微米之间可调的涂层，得到具有可调控吸收光谱特征的聚对二甲苯涂层的封装和防护成品。

2.根据权利要求1 所述的一种可调控吸收光谱特征的聚对二甲苯封装和防护涂层合成制备方法，其特征在于其目标是用于集成电路芯片、电子器件、电路板或功能材料表面的具有可调控吸收光谱的可标识封装和表面防护。

3.根据权利要求1 所述的一种可调控吸收光谱特征的聚对二甲苯封装和防护涂层合成制备方法，其特征在于在步骤a中，根据有色基团发色与光谱匹配原理，制作者选取不同吸收光谱特征的蒽醌类或偶氮类或酞菁类化合物，得到产生具有不同吸收光谱特征的化合物前驱体混合粉末。

4.根据权利要求1 所述的不同吸收光谱特征化合物前驱体粉末混合方法，其特征在于在步骤a中，制作者选取由红光、黄光以及蓝光等光谱吸收特征的蒽醌类化合物同时混合组成，可以按一定的比例进行搭配，得到产生具有全光谱吸收的黑色特征合成物的前驱体分散混合粉末。

5.根据权利要求1所述的不同吸收光谱特征化合物前驱体粉末混合方法，其特征在于在步骤a中，制作者选取由黄光和蓝光吸收特征的蒽醌类化合物同时混合组成，可以按一定的比例进行搭配，得到产生强度不同的具有绿光发射特征的合成物的前驱体分散混合粉末。

6.根据权利要求1 所述的一种可调控吸收光谱特征的聚对二甲苯集成电路芯片、电子器件、电路板或功能材料封装涂层制备方法，其特征在于在步骤c中，将通过步骤a得到的含产生可调控吸收光谱特征前驱体化合物混合粉末, 在真空流化床供料舱内加热至150~300℃气化活化并与一定的载气氩气混合，成为可调控吸收光谱特征的掺杂化合物前驱体活性载气。

7.根据权利要求1 所述的一种可调控吸收光谱特征的聚对二甲苯封装与防护涂层制备方法，其特征在于在步骤e中，制作者将集成电路芯片、电子器件、电路板或功能材料固定在旋转样品台上，将真空室中旋转台温度控制为40~100℃并以每分钟20圈旋转，真空除气、干燥净化，之后打开真空紫外灯对样品表面辐照5~20分钟，使得样品表面充分活化。

8.根据权利要求1 所述的一种可调控吸收光谱特征的聚对二甲苯封装与防护涂层制备方法，其特征在于在步骤f中，将通过步骤c获得的可调控吸收光谱特征的掺杂化合物前驱体活性载气和通过步骤d得到的对二甲苯二聚体活性气体在在200~300℃预混室中混合，使活性对二甲苯二聚体与可调控吸收光谱特征的掺杂化合物前驱体活性载气混合成气体。