[发明专利]用于监测抛光的设备和方法在审
| 申请号: | 201911233241.X | 申请日: | 2019-12-05 | 
| 公开(公告)号: | CN111267000A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 | 
| 发明(设计)人: | 芮相宪;吴世允;千圣贤 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 | 
| 主分类号: | B24B49/12 | 分类号: | B24B49/12;B24B29/02;B24B1/00 | 
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;张川绪 | 
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 监测 抛光 设备 方法 | ||
提供了一种用于监测抛光的设备和方法,所述用于监测抛光的设备包括:基底传送单元,被构造为沿着第一方向传送包括至少一个无机层的基底;抛光单元,位于基底传送单元上;清洁单元和干燥单元,位于基底传送单元上;以及监测单元,位于基底传送单元上,监测单元包括被构造为测量从基底的多个不同位置中的相应位置反射的反射光的多个光学探头。抛光单元、清洁单元、干燥单元和监测单元沿着第一方向顺序设置。
本申请要求于2018年12月5日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0155045号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种用于监测抛光的设备并涉及一种用于监测抛光的方法。
背景技术
通常,通过顺序沉积例如导电层、半导体层和绝缘层而在基底上形成显示像素。由于导电层和半导体层等被图案化,所以导电层和半导体层上的绝缘层不是平坦化的。可以通过使用化学机械抛光(CMP)来平坦化基底的其上定位有显示像素的上表面。
将理解的是,技术部分的该背景意图提供用于理解该技术的有用背景,并且如这里所公开的,技术背景部分可以包括:在这里所公开的主题的相应的有效提交日期之前,不是对相关领域技术人员而言已知或理解的内容的一部分的思想、构思或认识。
发明内容
本公开的实施例可以涉及一种能够准确地确定抛光工艺的终点并测量物体的平坦度的用于监测抛光的设备和方法。
根据实施例,一种用于监测抛光的设备包括:基底传送单元,被构造为沿着第一方向传送可以包括至少一个无机层的基底;抛光单元,位于基底传送单元上;清洁单元和干燥单元,位于基底传送单元上;以及监测单元,位于基底传送单元上,并且包括被构造为测量分别从基底的多个不同位置反射的反射光的多个光学探头。抛光单元、清洁单元、干燥单元和监测单元沿着第一方向顺序设置。
多个光学探头可以沿着垂直(例如,基本垂直)于第一方向的第二方向彼此分开布置。
基底可以包括沿着第一方向和垂直(例如,基本垂直)于第一方向的第二方向布置的多个单元,并且多个光学探头可以被定位为分别与基底的多个单元对应。
设备还可以包括厚度-光谱数据库,厚度-光谱数据库包括关于无机层的厚度和分别与无机层的厚度对应的参考光谱的数据。
厚度-光谱数据库可以包括关于分别与无机层的厚度对应的抛光时间的数据。
设备还可以包括结合到多个光学探头并根据分别由多个光学探头测量的反射光计算光谱的多通道光谱仪。
设备还可以包括被构造为将多个计算出的光谱与参考光谱进行比较的控制器。
控制器可以将由多通道光谱仪计算出的光谱的峰值点或谷值点处的波长与参考光谱的峰值点或谷值点处的波长分别进行比较。
控制器可以将多个计算出的光谱彼此进行比较。
根据另一实施例,一种用于监测抛光的方法包括以下步骤:生成厚度-光谱数据库;对可以包括至少一个无机层的基底进行抛光;并发(例如,同时)计算分别针对基底的多个不同位置的光谱;将计算出的光谱中的每个与包括在厚度-光谱数据库中的参考光谱进行比较;计算无机层的在基底的多个不同位置处的相应厚度;以及确定无机层的在基底的多个不同位置处的相应厚度的适当性。
当并发(例如,同时)计算分别针对基底的多个不同位置的相应光谱时,基底的多个不同位置可以对应于包括在基底中的多个相应单元。
确定无机层的在基底的多个不同位置处的厚度的适当性的步骤可以包括以下步骤:将针对基底的多个不同位置计算出的各个厚度彼此进行比较;以及确定无机层的平坦度。
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