[发明专利]显示面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201911224486.6 申请日: 2019-12-04
公开(公告)号: CN111081896B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 孙锋;李金川;魏锋 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 李新干
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

玻璃基板;

一维光子晶体层,设置于所述玻璃基板上,包括层叠设置的多个晶体单元层,各所述晶体单元层均包括:位于所述晶体单元层内靠近所述玻璃基板一侧的低折射率子层,及位于所述晶体单元层内远离所述玻璃基板一侧的高折射率子层;及

发光功能层,设置于所述一维光子晶体层上;

所述晶体单元还包括一设置于所述高折射率子层和所述低折射率子层的过渡子层,所述过渡子层的折射率小于所述高折射率子层的折射率,且所述过渡子层的折射率大于所述低折射率子层的折射率;

所述晶体单元层中所述高折射率子层、低折射率子层或过渡子层的厚度为:

Dm=λ/(4Xnm)

其中,λ为所述发光功能层所发出光的光波中心波长,m∈(1、2、3),D1为所述高折射率子层的厚度,n1为所述高折射率子层的折射率;D2为所述低折射率子层的厚度,n2为所述低折射率子层的折射率;D3为所述过渡子层的厚度,n3为所述过渡子层的折射率。

2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述高折射率子层的折射率大于等于1.8,所述低折射率子层的折射率小于等于1.5。

3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述高折射率子层的材料为五氧化二钽、二氧化钛、二氧化锆、氧化锡、二氧化铈、五氧化二铌、氧化铬、硒化锌、硫化锌、硫化钡、氧化钆、钛酸钡、氧化钙、氮化硼、锗化锌中的一种或多种。

4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述低折射率子层的材料为二氧化硅、氟化镁、氟化钇、氟化镱、氟化钙、氟化铝、氟化钡、氟化锂、氟化钠、氟化钍中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述过渡子层的材料为一氧化硅、氧化钇、氧化铝、氧化镁、二氧化铪、氧化铟锡、氟化铅中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述晶体单元层的数量为10层。

7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光功能层包括:设置于所述一维光子晶体层上的阳极层、设置于所述阳极层上的有机层、以及设置于所述有机层上的阴极层。

8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供一玻璃基板;

在所述玻璃基板上形成一维光子晶体层,所述一维光子晶体层包括依次层叠形成于所述玻璃基板上的多个晶体单元层,各所述晶体单元层均包括:形成于所述晶体单元层内靠近所述玻璃基板一侧的低折射率子层,及形成于所述晶体单元层内远离所述玻璃基板一侧的高折射率子层;及

在所述一维光子晶体层上形成发光功能层;

所述晶体单元还包括一设置于所述高折射率子层和所述低折射率子层的过渡子层,所述过渡子层的折射率小于所述高折射率子层的折射率,且所述过渡子层的折射率大于所述低折射率子层的折射率;

所述晶体单元层中所述高折射率子层、低折射率子层或过渡子层的厚度为:

Dm=λ/(4Xnm)

其中,λ为所述发光功能层所发出光的光波中心波长,m∈(1、2、3),D1为所述高折射率子层的厚度,n1为所述高折射率子层的折射率;D2为所述低折射率子层的厚度,n2为所述低折射率子层的折射率;D3为所述过渡子层的厚度,n3为所述过渡子层的折射率。

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