[发明专利]双侧冷却功率模块及其制造方法

权利要求书

1.一种双侧冷却功率模块，包括：

下基板，在所述下基板的至少一个表面上包括凹陷部；

半导体芯片，形成在所述凹陷部中；

引线框架，形成在所述下基板的两端；以及

上基板，所述上基板形成在所述半导体芯片、所述引线框架的至少一部分以及所述下基板上，

其中，所述上基板和所述下基板包括直接接合铜DBC基板，

其中，所述半导体芯片通过使用导电性粘合剂接合到所述下基板的上表面和所述上基板的下表面，

其中，通过在所述下基板的两端和所述上基板的两端上施加非导电性粘合剂而使所述下基板的两端和所述上基板的两端彼此接合。

2.根据权利要求1所述的双侧冷却功率模块，其中，所述凹陷部是通过将所述下基板的上表面的至少一部分处理成阶梯状而形成的，以使所述半导体芯片不向所述下基板的上表面凸出。

3.根据权利要求1所述的双侧冷却功率模块，其中，在所述凹陷部与所述半导体芯片之间的内部空间中填充有底部填充物。

4.根据权利要求1所述的双侧冷却功率模块，其中，所述下基板的两端被处理成阶梯状，以使所述引线框架不向所述下基板的上表面凸出。

5.根据权利要求1所述的双侧冷却功率模块，其中，所述半导体芯片包括SiC MOSFET元件。

6.根据权利要求1所述的双侧冷却功率模块，其中，所述上基板的所述下表面的两端被处理成阶梯状。

7.根据权利要求1所述的双侧冷却功率模块，还包括模制部，所述模制部形成为围绕所述下基板、所述引线框架以及所述上基板的外周表面，

其中，所述引线框架的至少一部分向所述模制部的外部凸出。

8.一种双侧冷却功率模块的制造方法，所述方法包括以下处理：

在下基板的至少一个表面上形成凹陷部；

在所述凹陷部中形成半导体芯片；

在所述下基板的两端形成引线框架；并且

在所述半导体芯片、所述引线框架的至少一部分以及所述下基板上形成上基板，

其中，形成所述半导体芯片包括：

将导电性粘合剂施加到所述半导体芯片的下表面，并且随后将所述半导体芯片接合到所述凹陷部中，

其中，形成所述上基板包括：

将非导电性粘合剂施加到所述下基板的两端和所述上基板的下表面的两端；并且

将施加了所述非导电性粘合剂的所述下基板和所述上基板设置为彼此面对，并且随后将所述下基板和所述上基板接合，

其中，所述下基板和所述上基板包括直接接合铜DBC基板。

9.根据权利要求8所述的双侧冷却功率模块的制造方法，

其中，所述凹陷部被处理成阶梯状，以使所述半导体芯片不向所述下基板的上表面凸出，并且

形成所述半导体芯片的处理还包括以下处理：

用底部填充物填充所述凹陷部与所述半导体芯片之间的内部空间。

10.根据权利要求8所述的双侧冷却功率模块的制造方法，

其中，形成所述引线框架的处理包括以下处理：

将所述下基板的两端处理为阶梯状，以使在将所述引线框架接合到所述下基板的两端之前，所述引线框架不向所述下基板的上表面凸出；并且

使用烧结方法或超声波焊接方法将所述引线框架接合到阶梯状的所述下基板的两端。

11.根据权利要求8所述的双侧冷却功率模块的制造方法，

其中，形成所述上基板的处理还包括以下处理：在将所述非导电性粘合剂施加到所述下基板的两端和所述上基板的下表面的两端之前，

将导电性粘合剂施加到所述半导体芯片的上表面；

将非导电性粘合剂施加到除所述半导体芯片的上表面之外的所述引线框架。