[发明专利]晶圆容纳装置及晶圆腐蚀方法在审
| 申请号: | 201911221707.4 | 申请日: | 2019-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN111370355A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 赵然;刘素娟;张岩;赵子强;刘振洲;李龙远;鲍慧强;王锡铭;陈菲菲 | 申请(专利权)人: | 中科钢研节能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 林治辰;邱成杰 |
| 地址: | 100081 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 容纳 装置 腐蚀 方法 | ||
本发明公开了一种晶圆容纳装置及晶圆腐蚀方法,所述晶圆容纳装置包括架体、挡柱以及多个卡扣;所述架体具有多根立柱,每根所述立柱沿竖直方向设置,多根所述立柱沿所述架体的横截面的周向间隔设置,多根所述立柱限定出用于容纳晶圆的容纳腔以及用于所述晶圆进出所述容纳腔的敞口;多个所述卡扣配置为能够分别卡持在多个所述立柱上,并且相邻所述立柱上的卡扣具有相同的水平高度以向所述晶圆提供支撑,从而使所述晶圆保持在水平状态;所述挡柱配置为能够安装在所述架体上以部分地遮挡所述敞口,从而限制所述晶圆的进出。本发明的晶圆容纳装置能够保证晶圆的腐蚀效果,使得单个晶圆受腐蚀的均匀性得以提高,保证成品晶圆的品质。
技术领域
本发明涉及晶圆制造技术领域,具体地涉及一种晶圆容纳装置及晶圆腐蚀方法。
背景技术
在晶圆的生产过程中,需要对晶圆进行温度高达500℃以上的强碱腐蚀液腐蚀工艺,腐蚀时,晶圆提篮状的容纳装置中,再将放置有晶圆的容纳装置放入腐蚀液中,腐蚀液进入容纳装置从而对晶圆进行高温腐蚀。目前的容纳装置存在的主要问题是,无法保证其内部放置的晶圆的腐蚀效果,单个晶圆受腐蚀的均匀性较差,从而影响最终的晶圆品质。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的问题,提供一种晶圆容纳装置及晶圆腐蚀方法,该晶圆容纳装置能够保证晶圆的腐蚀效果,使得单个晶圆受腐蚀的均匀性得以提高,保证成品晶圆的品质。
为了实现上述目的,本发明一方面提供一种晶圆容纳装置,所述晶圆容纳装置包括架体、挡柱以及多个卡扣;所述架体具有多根立柱,每根所述立柱沿竖直方向设置,多根所述立柱沿所述架体的横截面的周向间隔设置,多根所述立柱限定出用于容纳晶圆的容纳腔以及用于所述晶圆进出所述容纳腔的敞口;多个所述卡扣配置为能够分别卡持在多个所述立柱上,并且相邻所述立柱上的卡扣具有相同的水平高度以向所述晶圆提供支撑,从而使所述晶圆保持在水平状态;所述挡柱配置为能够安装在所述架体上以部分地遮挡所述敞口,从而限制所述晶圆的进出。
可选的,所述卡扣配置为能够卡持在所述挡柱上以向所述晶圆提供支撑,所述挡柱上的卡扣与相邻的所述立柱上的卡扣具有相同的水平高度。
可选的,所述挡柱的顶端设有第一提手。
可选的,多个所述卡扣能够沿所述立柱的长度方向间隔地卡持在所述立柱上。
可选的,所述架体呈圆柱体结构,所述架体具有圆形的底座以及圆形的顶梁,所述顶梁的形状与所述底座的形状相匹配,多个所述立柱沿所述底座的周向间隔地设置,每个所述立柱的两端均分别同所述底座以及所述顶梁连接。
可选的,所述顶梁开设有通孔,所述通孔与所述晶圆相匹配以使所述晶圆能够通过所述通孔进出所述容纳腔。
可选的,所述顶梁上设有第二提手。
可选的,所述卡扣包括卡持部和支撑部,所述卡持部配置为能够卡持于所述立柱,所述支撑部与所述卡持部相连接并朝所述容纳腔延伸以向所述晶圆提供支撑。
本发明第二方面提供一种利用上述的晶圆容纳装置的晶圆腐蚀方法,所述方法包括以下步骤:S1、将数量与所述立柱相同的多个所述卡扣分别卡持在多个所述立柱上并保持相同的水平高度;S2、向所述容纳腔中放入所述晶圆,并使所述晶圆在所述卡扣的支撑下保持水平状态;S3、重复步骤S1、S2直至所述容纳腔中容纳有目标数量的所述晶圆;S4、将所述挡柱安装在所述架体上以限制所述晶圆从所述容纳腔中脱出;S5、将容纳有所述晶圆的所述晶圆容纳装置放入腐蚀液中,待腐蚀完成后再将所述晶圆容纳装置取出;S6、拆下所述挡柱并倾斜所述架体,使得所述晶圆通过所述敞口从所述容纳腔中脱出。
可选的,步骤S2包括:S2-1、将两个所述晶圆的碳面相对地叠放在一起形成一组晶圆;S2-2、将该组晶圆放入所述容纳腔中并在所述卡扣的支撑下保持水平状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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