[发明专利]晶圆容纳装置及晶圆腐蚀方法在审
| 申请号: | 201911221707.4 | 申请日: | 2019-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN111370355A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 赵然;刘素娟;张岩;赵子强;刘振洲;李龙远;鲍慧强;王锡铭;陈菲菲 | 申请(专利权)人: | 中科钢研节能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 林治辰;邱成杰 |
| 地址: | 100081 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 容纳 装置 腐蚀 方法 | ||
1.一种晶圆容纳装置,其特征在于,所述晶圆容纳装置包括架体(10)、挡柱(20)以及多个卡扣(30);
所述架体(10)具有多根立柱(11),每根所述立柱(11)沿竖直方向设置,多根所述立柱(11)沿所述架体(10)的横截面的周向间隔设置,多根所述立柱(11)限定出用于容纳晶圆(40)的容纳腔以及用于所述晶圆(40)进出所述容纳腔的敞口;
多个所述卡扣(30)配置为能够分别卡持在多个所述立柱(11)上,并且相邻所述立柱(11)上的卡扣(30)具有相同的水平高度以向所述晶圆(40)提供支撑,从而使所述晶圆(40)保持在水平状态;
所述挡柱(20)配置为能够安装在所述架体(10)上以部分地遮挡所述敞口,从而限制所述晶圆(40)的进出。
2.根据权利要求1所述的晶圆容纳装置,其特征在于,所述卡扣(30)配置为能够卡持在所述挡柱(20)上以向所述晶圆(40)提供支撑,所述挡柱(20)上的卡扣(30)与相邻的所述立柱(11)上的卡扣(30)具有相同的水平高度。
3.根据权利要求1所述的晶圆容纳装置,其特征在于,所述挡柱(20)的顶端设有第一提手。
4.根据权利要求1所述的晶圆容纳装置,其特征在于,多个所述卡扣(30)能够沿所述立柱(11)的长度方向间隔地卡持在所述立柱(11)上。
5.根据权利要求1所述的晶圆容纳装置,其特征在于,所述架体(10)呈圆柱体结构,所述架体(10)具有圆形的底座(12)以及圆形的顶梁(13),所述顶梁(13)的形状与所述底座(12)的形状相匹配,多个所述立柱(11)沿所述底座(12)的周向间隔地设置,每个所述立柱(11)的两端均分别同所述底座(12)以及所述顶梁(13)连接。
6.根据权利要求5所述的晶圆容纳装置,其特征在于,所述顶梁(13)开设有通孔,所述通孔与所述晶圆(40)相匹配以使所述晶圆(40)能够通过所述通孔进出所述容纳腔。
7.根据权利要求5所述的晶圆容纳装置,其特征在于,所述顶梁(13)上设有第二提手。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的晶圆容纳装置,其特征在于,所述卡扣(30)包括卡持部(31)和支撑部(32),所述卡持部(31)配置为能够卡持于所述立柱(11),所述支撑部(32)与所述卡持部(31)相连接并朝所述容纳腔延伸以向所述晶圆(40)提供支撑。
9.一种利用权利要求1-8中任意一项所述的晶圆容纳装置的晶圆腐蚀方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
S1、将数量与所述立柱(11)相同的多个所述卡扣(30)分别卡持在多个所述立柱(11)上并保持相同的水平高度;
S2、向所述容纳腔中放入所述晶圆(40),并使所述晶圆(40)在所述卡扣(30)的支撑下保持水平状态;
S3、重复步骤S1、S2直至所述容纳腔中容纳有目标数量的所述晶圆(40);
S4、将所述挡柱(20)安装在所述架体(10)上以限制所述晶圆(40)从所述容纳腔中脱出;
S5、将容纳有所述晶圆(40)的所述晶圆容纳装置放入腐蚀液中,待腐蚀完成后再将所述晶圆容纳装置取出;
S6、拆下所述挡柱(20)并倾斜所述架体(10),使得所述晶圆(40)通过所述敞口从所述容纳腔中脱出。
10.根据权利要求9所述的晶圆腐蚀方法,其特征在于,步骤S2包括:
S2-1、将两个所述晶圆(40)的碳面相对地叠放在一起形成一组晶圆(40);
S2-2、将该组晶圆(40)放入所述容纳腔中并在所述卡扣(30)的支撑下保持水平状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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