[发明专利]基板处理装置及利用此的基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理装置及利用此的基板处理方法，更详细地说，涉及利用等离子体在基板表面执行基板处理的基板处理装置及利用此的基板处理方法。本发明还公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)、气体喷射部(200)及基板支撑部(300)，所述工艺腔室(100)形成密封的处理空间(S)，所述气体喷射部(200)设置在所述工艺腔室(100)上侧并喷射用于基板处理的工艺气体及用于清扫所述工艺腔室(100)内部的腔室清扫气体(CCG)，所述基板支撑部(300)设置在所述工艺腔室(100)并且安装有一个以上的基板(10)。

技术领域

本发明涉及基板处理装置及利用此的基板处理方法，更详细地说，涉及利用等离子体在基板表面执行基板处理的基板处理装置及利用此的基板处理方法。

背景技术

基板处理装置包括形成密封的内部空间的真空腔室和设置在真空腔室内并安装有基板的基板支撑部，是在内部空间注入处理气体的同时施加电源来蚀刻或者沉积基板表面的装置。

由所述基板处理装置处理的基板有半导体用晶片、LCD面板用玻璃基板、太阳能电池用基板等。

但是，因为在基板处理过程中在基板上面沉积的薄膜层数增加以及向基板施加高热，按照基板上面的区域施加的压力可有所不同，结果可出现在基板支撑部的安装面安装的基板的边缘位置向上侧抬起的翘曲(warpage)现象。

因为基板在基板支撑部上翘曲，在等离子体工艺中在基板和基板支撑部之间形成的空间出现电弧(Arc)，降低薄膜厚度的均匀度(THK uniformity)，因此出现降低基板质量及生产力的问题。

即使在基板上面累积执行基板处理，也适用静电夹盘，利用静电力夹住已安装的基板，以防止基板的翘曲现象，但是若使用静电夹盘，则在基板未安装在静电夹盘的时间(诸如，交换基板的时间)可通过残留于真空腔室内部的残留气体可在静电夹盘的安装面形成薄膜，据此弱化针对的基板的夹持力，存在无法避免基板翘曲现象的问题。

发明内容

(要解决的问题)

为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种基板处理装置及利用此的基板处理方法，对利用静电力夹持基板的基板支撑部的上面执行清扫，进而可防止因为形成在基板支撑部上面的薄膜而降低夹持力导致基板翘曲。

(解决问题的手段)

本发明是为了达到如上所述的本发明的目的而提出的，公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室100、气体喷射部200及基板支撑部300，所述工艺腔室100形成密封的处理空间S，所述气体喷射部200设置在所述工艺腔室100上侧并喷射用于基板处理的工艺气体及用于清扫所述工艺腔室100内部的腔室清扫气体CCG，所述基板支撑部300设置在所述工艺腔室100并且安装有一个以上的基板10，其特征在于，所述基板支撑部300包括：基座部310，在上面安装基板10；多个凸出部320，凸出形成在所述基座部310上面来支撑基板10；气体流道部330，贯通所述基座部310，以与所述基座部310上面和被所述多个凸出部320支撑的基板10之间的空间连通；表面清扫气体供应部，连接于所述气体流道部330，以用于通过所述气体流道部330供应表面清扫气体SCG，以使表面清扫气体SCG流动于所述多个凸出部320之间；所述基板处理装置包括控制部，所述控制部进行控制以在主清扫工艺之间通过所述气体流道部330供应所述表面清扫气体SCG，所述主清扫工艺是利用所述腔室清扫气体CCG清扫所述工艺腔室100内部。

所述基板支撑部300可以是在所述基座部310安装电极以通过静电力夹持基板10的静电夹盘。

所述基板支撑部300还可包括凹槽340，所述凹槽340形成在所述基座部310上面，以通过所述基座部310的上面和被所述凸出部320支撑的基板10之间的空间扩散通过所述气体流道部330供应的吹扫气体PG及表面清扫气体CCG的中的至少一种气体。